本文選題：直流電弧法　切入點(diǎn)：納米SiC@C復(fù)合粒子　出處：《兵器材料科學(xué)與工程》2016年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用等離子直流電弧法,在氫氣、氬氣、甲烷分壓分別為10、20、7.5 k Pa的混合氣氛下制備納米SiC@C核殼型復(fù)合粒子。利用XRD、Raman對(duì)納米粒子的成分進(jìn)行表征,用TEM對(duì)其形貌進(jìn)行分析。將納米SiC@C復(fù)合粒子均勻分散在石蠟基體中,在100 MHz~18 GHz頻率內(nèi)測(cè)定其復(fù)介電常數(shù)。結(jié)果表明,當(dāng)電磁波吸收材料匹配厚度為8 mm、測(cè)試頻率為9.49 GHz時(shí),最大反射損耗能達(dá)到-27 d B。對(duì)SiC介電特性分析進(jìn)一步表明,SiC中的C空位(VC)和Si空位(VSi)產(chǎn)生的偶極子發(fā)生的弛豫過(guò)程和SiC缺陷帶來(lái)的電導(dǎo)率變化是影響介電性能的關(guān)鍵因素。
[Abstract]:Nanocrystalline SiC@C core-shell composite particles were prepared by plasma DC arc method in a mixed atmosphere of 10207.5KPA in hydrogen, argon and methane, respectively. The morphology of the composite particles was analyzed by TEM. The nanosized SiC@C composite particles were uniformly dispersed in the paraffin matrix. The complex dielectric constant was measured at 100 MHz~18 GHz frequency. The results showed that when the matching thickness of the electromagnetic wave absorbing material was 8 mm and the measuring frequency was 9.49 GHz, The maximum reflection loss can reach -27 dB. The analysis of the dielectric properties of SiC further shows that the relaxation process of dipole and the change of conductivity caused by SiC defects are the key factors affecting the dielectric properties of sic.
【作者單位】： 大連理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院三束材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)兵器科學(xué)研究院寧波分院;
【分類號(hào)】：TB34

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本文編號(hào)：1612035