本文選題：直流電弧法　切入點：納米SiC@C復合粒子　出處：《兵器材料科學與工程》2016年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用等離子直流電弧法,在氫氣、氬氣、甲烷分壓分別為10、20、7.5 k Pa的混合氣氛下制備納米SiC@C核殼型復合粒子。利用XRD、Raman對納米粒子的成分進行表征,用TEM對其形貌進行分析。將納米SiC@C復合粒子均勻分散在石蠟基體中,在100 MHz~18 GHz頻率內測定其復介電常數(shù)。結果表明,當電磁波吸收材料匹配厚度為8 mm、測試頻率為9.49 GHz時,最大反射損耗能達到-27 d B。對SiC介電特性分析進一步表明,SiC中的C空位(VC)和Si空位(VSi)產生的偶極子發(fā)生的弛豫過程和SiC缺陷帶來的電導率變化是影響介電性能的關鍵因素。
[Abstract]:Nanocrystalline SiC@C core-shell composite particles were prepared by plasma DC arc method in a mixed atmosphere of 10207.5KPA in hydrogen, argon and methane, respectively. The morphology of the composite particles was analyzed by TEM. The nanosized SiC@C composite particles were uniformly dispersed in the paraffin matrix. The complex dielectric constant was measured at 100 MHz~18 GHz frequency. The results showed that when the matching thickness of the electromagnetic wave absorbing material was 8 mm and the measuring frequency was 9.49 GHz, The maximum reflection loss can reach -27 dB. The analysis of the dielectric properties of SiC further shows that the relaxation process of dipole and the change of conductivity caused by SiC defects are the key factors affecting the dielectric properties of sic.
【作者單位】： 大連理工大學材料科學與工程學院三束材料改性教育部重點實驗室;中國兵器科學研究院寧波分院;
【分類號】：TB34

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本文編號：1612035