半導(dǎo)體工藝技術(shù)不斷在發(fā)展,隨著器件尺寸不斷縮小,超大規(guī)模集成電路(ULSI)工藝越來(lái)越復(fù)雜,后段金屬連線(xiàn)的尺寸也越來(lái)越縮小,金屬生長(zhǎng)和刻蝕等后段工藝的污染顆�？刂埔呀�(jīng)成為保持高成品率和高生產(chǎn)效率的關(guān)鍵問(wèn)題之一,使得工藝對(duì)缺陷控制的要求越來(lái)越高。而缺陷也是影響成品率的最直接的因素之一。 本論文對(duì)在線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)的原理和邏輯產(chǎn)品的工藝進(jìn)行了介紹,重點(diǎn)針對(duì)作者所在單位邏輯產(chǎn)品后段金屬化工藝中出現(xiàn)的三種最嚴(yán)重缺陷進(jìn)行分析和研究。缺陷是在生產(chǎn)制造中引進(jìn)的,而最終解決缺陷問(wèn)題也是通過(guò)改進(jìn)工藝來(lái)完成的。本文通過(guò)大量的研究實(shí)驗(yàn)和理論分析,尋找解決缺陷問(wèn)題、優(yōu)化工藝制程的方案,獲得了以下主要結(jié)果: 1.發(fā)現(xiàn)了甜甜圈狀缺陷的產(chǎn)生機(jī)理并獲得了抑制方法。在Al線(xiàn)刻蝕后在線(xiàn)檢測(cè)發(fā)現(xiàn)環(huán)形類(lèi)似甜甜圈狀的缺陷,分布從晶圓中心到周邊逐漸加重。通過(guò)跟蹤良率反饋,發(fā)現(xiàn)其對(duì)良品率有很大損害。通過(guò)失效分析、機(jī)理研究等方法確認(rèn)它是低質(zhì)量的氮化鈦薄膜導(dǎo)致甜甜圈狀缺陷的產(chǎn)生。本文通過(guò)薄膜應(yīng)力的理論分析探索了缺陷產(chǎn)生的機(jī)理,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了解決缺陷問(wèn)題的方法,最終獲得優(yōu)化方案解決了這種缺陷問(wèn)題。 2.發(fā)現(xiàn)了小丘狀缺陷的產(chǎn)生機(jī)理并獲得了抑制方...

【文章頁(yè)數(shù)】：62 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
中文摘要
英文摘要
第一章 緒論
第二章 在線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)的原理和邏輯產(chǎn)品工藝的介紹
    2.1 在線(xiàn)檢測(cè)技術(shù)
    2.2 邏輯產(chǎn)品工藝
        2.2.1 邏輯產(chǎn)品工藝介紹
        2.2.2 邏輯產(chǎn)品金屬化要求
第三章 后段工藝中的三種嚴(yán)重缺陷的產(chǎn)生機(jī)理及解決方法研究
    3.1 甜甜圈狀缺陷
        3.1.1 缺陷分析與實(shí)驗(yàn)調(diào)查
        3.1.2 產(chǎn)生機(jī)理
        3.1.3 解決方案與工藝改進(jìn)
    3.2 小丘狀缺陷
        3.2.1 缺陷分析與產(chǎn)生機(jī)理調(diào)查
        3.2.2 解決方案與新工藝的產(chǎn)生
    3.3 晶須突出缺陷
        3.3.1 缺陷機(jī)理分析與實(shí)驗(yàn)調(diào)查
        3.3.2 新工藝解決方案
        3.3.3 鎢化學(xué)機(jī)械拋光法解決方案
        3.3.4 幾種解決方案的討論
第四章 后段金屬化工藝改善方案
第五章 全文總結(jié)
參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號(hào)：3875438