我們正經(jīng)歷著一場全新的技術(shù)革命,這場技術(shù)革命的推動(dòng)力正是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,而推動(dòng)半導(dǎo)體發(fā)展的又是其設(shè)計(jì)及制造工藝的不斷創(chuàng)新。目前國際上的半導(dǎo)體制造工藝已經(jīng)進(jìn)入了納米時(shí)代,世界級(jí)的制造大廠已經(jīng)進(jìn)入32nm工藝大生產(chǎn)階段,并正朝著更小的工藝線寬前進(jìn)；我國大批量生產(chǎn)的工藝線,八寸線主要還是0.13微米工藝,十二寸線則進(jìn)入了65nm工藝。隨著生產(chǎn)工藝線的持續(xù)使用和設(shè)備的不斷老化,出現(xiàn)了很多新的問題。本文就八寸生產(chǎn)線0.13微米工藝側(cè)墻蝕刻出現(xiàn)的問題,分三個(gè)部分展開研究。 對(duì)0.13微米工藝側(cè)墻蝕刻工藝及其設(shè)備的研究：論文對(duì)0.13微米工藝做了分析,并對(duì)側(cè)墻蝕刻工藝的原理及具體的蝕刻方法做了詳細(xì)的研究,尤其是對(duì)側(cè)墻的結(jié)構(gòu)和氮化硅及二氧化硅的蝕刻進(jìn)行了深入的研究。論文還對(duì)側(cè)墻蝕刻的Super E設(shè)備的結(jié)構(gòu)及各部件的特性做了詳細(xì)的分析。 對(duì)側(cè)墻蝕刻中出現(xiàn)的對(duì)良率影響非常大的缺陷問題進(jìn)行了研究,并最終找出了問題的真正原因。論文先是從蝕刻設(shè)備的角度嘗試尋找解決問題的辦法,包括常用的部件及真空系統(tǒng)等,但效果并不明顯。又采用了正交實(shí)驗(yàn)的方法,按蝕刻步驟逐步分析工藝參數(shù)中影響缺陷的因素... 

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
目錄
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 蝕刻與側(cè)墻蝕刻工藝
    1.3 論文的意義與結(jié)構(gòu)
第二章 側(cè)墻蝕刻工藝與蝕刻機(jī)臺(tái)
    2.1 0.13微米側(cè)墻蝕刻工藝的介紹
        2.1.1 0.13微米工藝的簡介
        2.1.2 側(cè)墻蝕刻與蝕刻要求
        2.1.3 側(cè)墻蝕刻中的二氧化硅蝕刻
        2.1.4 側(cè)墻蝕刻中的氮化硅蝕刻
    2.2 側(cè)墻蝕刻機(jī)臺(tái)介紹
        2.2.1 蝕刻設(shè)備的發(fā)展
        2.2.2 Spuer E機(jī)臺(tái)的介紹
    2.3 小結(jié)
第三章 側(cè)墻蝕刻造成的缺陷的研究
    3.1 側(cè)墻缺陷的介紹
    3.2 蝕刻設(shè)備與側(cè)墻缺陷關(guān)系的研究
        3.2.1 密封圈對(duì)側(cè)墻缺陷的影響
        3.2.2 氣體流量分配盤對(duì)側(cè)墻缺陷的影響
        3.2.3 反應(yīng)腔體對(duì)側(cè)墻缺陷的影響
        3.2.4 真空系統(tǒng)對(duì)側(cè)墻缺陷的影響
    3.3 正交實(shí)驗(yàn)分析工藝參數(shù)對(duì)側(cè)墻缺陷的影響
        3.3.1 TEOS ME對(duì)改善側(cè)墻缺陷的實(shí)驗(yàn)與分析
        3.3.2 TEOS OE對(duì)改善側(cè)墻缺陷的實(shí)驗(yàn)與分析
        3.3.3 SIN ME對(duì)改善側(cè)墻缺陷的實(shí)驗(yàn)與分析
        3.3.4 SIN OE對(duì)改善側(cè)墻缺陷的實(shí)驗(yàn)與分析
    3.4 改進(jìn)工藝步驟,提高設(shè)備性能
    3.5 小結(jié)
第四章 控制側(cè)墻蝕刻后殘余二氧化硅厚度的研究
    4.1 殘余二氧化硅的作用與其控制
    4.2 調(diào)整蝕刻工藝參數(shù),以控制殘余二氧化硅的厚度
        4.2.1 SIN ME對(duì)殘余二氧化硅厚度的影響
        4.2.2 SIN OE對(duì)殘余二氧化硅厚度的影響
        4.2.3 調(diào)整O2導(dǎo)致WAT電性變化
    4.3 吸附電壓、溫度和磁場與殘余二氧化硅厚度的關(guān)系
        4.3.1 吸附電壓效應(yīng)
        4.3.2 溫度效應(yīng)
        4.3.3 磁場效應(yīng)
    4.4 殘余二氧化硅厚度改善的結(jié)果
第五章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號(hào)：3713689