隨著計算機技術(shù)的飛速發(fā)展,邏輯電路和圖像識別在很多領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用,時代的發(fā)展對這些電路的性能提出了更高的要求。憶阻器,作為新生代的阻變存儲器件,具備讀寫速度快、功耗低、非易失性存儲、尺寸小等優(yōu)點,它能實現(xiàn)存儲和處理信息方式的轉(zhuǎn)變,提高計算機工作功效,強大的促進計算機體系結(jié)構(gòu)改變。得益于憶阻器結(jié)構(gòu)特點與CMOS工藝有較強的兼并性,憶阻器在大容量存儲器方面有著極其誘人的應(yīng)用前景,憶阻器技術(shù)在解決圖像識別問題中可發(fā)揮積極作用,也值得深入探討和研究。本文首先簡述了憶阻器的發(fā)展和研究現(xiàn)狀,對憶阻的工作機理進行了簡單的介紹,分析了常用的實物模型,闡述了其工作原理和各自特性以及反串聯(lián)憶阻開關(guān)CRS,基于仿真得到的伏安曲線,分析了CRS的相關(guān)特性;其后闡述了交叉陣列中的漏電流問題和解決方案,并設(shè)計了基于純憶阻器的邏輯門電路結(jié)構(gòu),以反串聯(lián)CRS作為輸入,并聯(lián)連接,單個憶阻器作為輸出,并將邏輯運算結(jié)果存儲在輸出憶阻中,實現(xiàn)了與、與非、或、或非和非五種邏輯運算。本文還介紹了圖像識別的發(fā)展,基于憶阻器和CRS的開關(guān)特性,設(shè)計了憶阻圖像識別交叉陣列結(jié)構(gòu),以CRS作為存儲單元,通過充電電容在輸入數(shù)據(jù)前后的電... 

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 課題背景和意義
    1.2 新型存儲器的發(fā)展
    1.3 憶阻器及其應(yīng)用的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.4 本文的研究內(nèi)容
    1.5 論文結(jié)構(gòu)
2 憶阻器理論
    2.1 憶阻器的工作機理
    2.2 憶阻器模型
    2.3 反串聯(lián)憶阻開關(guān)-CRS
    2.4 本章小結(jié)
3 基于憶阻交叉陣列的邏輯門電路設(shè)計
    3.1 基于憶阻器的交叉陣列結(jié)構(gòu)
    3.2 交叉陣列中漏電流問題及解決方案
    3.3 基于CRS的邏輯門實現(xiàn)
    3.4 邏輯門仿真結(jié)果和分析
    3.5 本章小結(jié)
4 基于憶阻交叉陣列的圖像識別應(yīng)用研究
    4.1 圖像識別發(fā)展簡介
    4.2 基于CRS的圖像識別交叉陣列結(jié)構(gòu)
    4.3 圖像識別原理和過程
    4.4 PPED算法
    4.5 圖像辨識仿真結(jié)果和分析
    4.6 本章小結(jié)
5 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
致謝
參考文獻
附錄I 攻讀碩士期間發(fā)表的論文
附錄II 攻讀碩士期間參與的項目



本文編號：3081337