發(fā)布時(shí)間：2021-03-14 02:31

　　隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的飛速發(fā)展,邏輯電路和圖像識(shí)別在很多領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用,時(shí)代的發(fā)展對(duì)這些電路的性能提出了更高的要求。憶阻器,作為新生代的阻變存儲(chǔ)器件,具備讀寫(xiě)速度快、功耗低、非易失性存儲(chǔ)、尺寸小等優(yōu)點(diǎn),它能實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和處理信息方式的轉(zhuǎn)變,提高計(jì)算機(jī)工作功效,強(qiáng)大的促進(jìn)計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)改變。得益于憶阻器結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與CMOS工藝有較強(qiáng)的兼并性,憶阻器在大容量存儲(chǔ)器方面有著極其誘人的應(yīng)用前景,憶阻器技術(shù)在解決圖像識(shí)別問(wèn)題中可發(fā)揮積極作用,也值得深入探討和研究。本文首先簡(jiǎn)述了憶阻器的發(fā)展和研究現(xiàn)狀,對(duì)憶阻的工作機(jī)理進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹,分析了常用的實(shí)物模型,闡述了其工作原理和各自特性以及反串聯(lián)憶阻開(kāi)關(guān)CRS,基于仿真得到的伏安曲線,分析了CRS的相關(guān)特性;其后闡述了交叉陣列中的漏電流問(wèn)題和解決方案,并設(shè)計(jì)了基于純憶阻器的邏輯門(mén)電路結(jié)構(gòu),以反串聯(lián)CRS作為輸入,并聯(lián)連接,單個(gè)憶阻器作為輸出,并將邏輯運(yùn)算結(jié)果存儲(chǔ)在輸出憶阻中,實(shí)現(xiàn)了與、與非、或、或非和非五種邏輯運(yùn)算。本文還介紹了圖像識(shí)別的發(fā)展,基于憶阻器和CRS的開(kāi)關(guān)特性,設(shè)計(jì)了憶阻圖像識(shí)別交叉陣列結(jié)構(gòu),以CRS作為存儲(chǔ)單元,通過(guò)充電電容在輸入數(shù)據(jù)前后的電... 

【文章來(lái)源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：64 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 課題背景和意義
    1.2 新型存儲(chǔ)器的發(fā)展
    1.3 憶阻器及其應(yīng)用的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
    1.4 本文的研究?jī)?nèi)容
    1.5 論文結(jié)構(gòu)
2 憶阻器理論
    2.1 憶阻器的工作機(jī)理
    2.2 憶阻器模型
    2.3 反串聯(lián)憶阻開(kāi)關(guān)-CRS
    2.4 本章小結(jié)
3 基于憶阻交叉陣列的邏輯門(mén)電路設(shè)計(jì)
    3.1 基于憶阻器的交叉陣列結(jié)構(gòu)
    3.2 交叉陣列中漏電流問(wèn)題及解決方案
    3.3 基于CRS的邏輯門(mén)實(shí)現(xiàn)
    3.4 邏輯門(mén)仿真結(jié)果和分析
    3.5 本章小結(jié)
4 基于憶阻交叉陣列的圖像識(shí)別應(yīng)用研究
    4.1 圖像識(shí)別發(fā)展簡(jiǎn)介
    4.2 基于CRS的圖像識(shí)別交叉陣列結(jié)構(gòu)
    4.3 圖像識(shí)別原理和過(guò)程
    4.4 PPED算法
    4.5 圖像辨識(shí)仿真結(jié)果和分析
    4.6 本章小結(jié)
5 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄I 攻讀碩士期間發(fā)表的論文
附錄II 攻讀碩士期間參與的項(xiàng)目



本文編號(hào)：3081337