2015年全球集成電路技術(shù)發(fā)展和主要產(chǎn)品分析
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更多相關(guān)文章: 集成電路 智能終端芯片 半導(dǎo)體存儲器 微處理器
【摘要】:2015年全球CMOS技術(shù)從22/20nm節(jié)點(diǎn)迅速過渡到16/14nm節(jié)點(diǎn),移動智能終端芯片愈益采用16/14nm制程。預(yù)計10nm技術(shù)2016年底進(jìn)入量產(chǎn),FD-SOI(全耗盡SOI)技術(shù)異軍突起。全球技術(shù)領(lǐng)先廠商的技術(shù)各顯神通。2015年全球集成電路主要產(chǎn)品中,市場規(guī)模存儲器超越CPU,新型半導(dǎo)體存儲器技術(shù)正在尋求新突破。
【作者單位】: 上海市集成電路行業(yè)協(xié)會;
【關(guān)鍵詞】: 集成電路 智能終端芯片 半導(dǎo)體存儲器 微處理器
【分類號】:TN409;F416.6
【正文快照】: 1 2015年全球集成電路技術(shù)的新進(jìn)展 1.1 2015年全球集成電路制程技術(shù)從28/22nm節(jié)點(diǎn)全面過渡到16/14nm節(jié)點(diǎn) 近3年來在28nm制程經(jīng)歷了全盛時期之后,2015年全球CMOS技術(shù)又從22/20nm節(jié)點(diǎn)迅速過渡到16/14nm節(jié)點(diǎn)。 在2 0 1 4年第三季度以前臺積電一直是2 8 n m Poly Si ON和HK/
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中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 馮慶瑞;;5半導(dǎo)體存儲器[J];微電子學(xué);1973年03期
2 川望;;非易消性半導(dǎo)體存儲器[J];微電子學(xué);1973年Z1期
3 松江繁樹 ,郭志先;半導(dǎo)體存儲器的規(guī)格讀法和特性測試方法[J];電子計算機(jī)動態(tài);1974年03期
4 ;全國半導(dǎo)體存儲器年會簡訊[J];計算機(jī)研究與發(fā)展;1982年12期
5 ;第三講 半導(dǎo)體存儲器及輸入/輸出接口芯片[J];電視技術(shù);1985年03期
6 羅浩平;半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展和技術(shù)狀況[J];半導(dǎo)體技術(shù);1993年03期
7 一凡;日本半導(dǎo)體存儲器的輸入中韓國占40.7%[J];微電子技術(shù);1995年03期
8 一凡;歐洲的半導(dǎo)體存儲器市場[J];微電子技術(shù);1996年04期
9 林敏;世界半導(dǎo)體存儲器新視角[J];電子產(chǎn)品世界;1999年02期
10 穆強(qiáng);;存儲器進(jìn)入后PC時代[J];電子設(shè)計技術(shù);2003年12期
中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 本報記者 張偉;孫丕恕:半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)亟待跨越發(fā)展[N];中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報;2009年
2 賽迪顧問半導(dǎo)體咨詢事業(yè)部;半導(dǎo)體存儲器市場走強(qiáng)[N];中國電子報;2003年
3 全國人大代表、浪潮集團(tuán)董事長 孫丕恕;擇機(jī)并購國際存儲器巨頭[N];光明日報;2009年
4 本報記者 樊哲高;浪潮:大膽并購搶攻半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)[N];中國電子報;2009年
5 ;孫丕恕:選擇適當(dāng)時機(jī)進(jìn)行國際合作[N];中國計算機(jī)報;2009年
6 本報記者 張洪 郭玉志 田晶;出臺政策支持半導(dǎo)體海外并購[N];中國企業(yè)報;2009年
7 本報記者 樊哲高;自主創(chuàng)新發(fā)展核心產(chǎn)業(yè)[N];中國電子報;2009年
8 朱小兵;打技術(shù)創(chuàng)新持久戰(zhàn)[N];計算機(jī)世界;2009年
9 國家信息化專家咨詢委員會委員 張復(fù)良;學(xué)習(xí)加創(chuàng)新[N];中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報;2006年
10 賽迪顧問半導(dǎo)體事業(yè)部 岳婷;2007年我國存儲器市場將突破1000億元[N];中國電子報;2005年
中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 韓維明;基于知識的半導(dǎo)體存儲器故障診斷系統(tǒng)[D];中國科學(xué)院研究生院(計算技術(shù)研究所);1997年
中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條
1 章旭明;非揮發(fā)半導(dǎo)體存儲器輻照失效機(jī)理及抗輻照加固研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年
2 吳昊;半導(dǎo)體存儲器設(shè)計與實(shí)現(xiàn)[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2006年
,本文編號:965588
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