基于諧振腔理論的高速系統(tǒng)建模與分析
發(fā)布時(shí)間:2021-07-30 14:14
隨著高速系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的提高,系統(tǒng)中的串?dāng)_、反射、振鈴、同步開關(guān)噪聲、地彈以及電磁輻射等各種高頻效應(yīng)日益凸顯。信號(hào)完整性、電源完整性和電磁完整性等系統(tǒng)完整性問題已經(jīng)成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一大難點(diǎn)。為了縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期、降低產(chǎn)品設(shè)計(jì)成本,工程師們通過各種系統(tǒng)仿真工具去預(yù)測系統(tǒng)的性能,從仿真中獲得違背系統(tǒng)完整性的結(jié)構(gòu),并重新設(shè)計(jì)這些結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)最終的系統(tǒng)完整性。而系統(tǒng)級仿真涉及到非線性的有源器件,這些器件只能在時(shí)域中通過IBIS模型或Spice模型來表征。但是系統(tǒng)的頻域參數(shù)(S參數(shù)、Z參數(shù)或Y參數(shù))并不能直接與非線性的有源器件互連進(jìn)行時(shí)域仿真。因此需要一種有效的方法實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的時(shí)域仿真。目前實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)時(shí)域仿真的途徑主要有三種:系統(tǒng)頻域數(shù)據(jù)模型化,非線性有源器件分段線性化和系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)模型化。其中最有效的方法是系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)模型化,該方法實(shí)質(zhì)上就是直接建立系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的電路模型。本論文主要針對系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的建模提出了一些新的建模方法和快速算法,并詳細(xì)地分析這些方法的效率和精度。研究的主要成果如下:1.針對電源地平面諧振腔模型效率低和精度差的問題,提出了一種快速雙頻點(diǎn)近似算法。這種方法根據(jù)高階模式的阻抗在模型帶寬...
【文章來源】:西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:130 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
Intel處理器、DRAM存儲(chǔ)量和Alter的FPGA邏輯單元數(shù)與晶體管數(shù)量和時(shí)間的關(guān)系示意圖
感和引腳電感就成為影響系統(tǒng)工作頻率提高的主要瓶頸。為了解決高速系統(tǒng)的封裝級電感對系統(tǒng)工作頻率的限制,芯片的封裝也經(jīng)歷了革命性的發(fā)展。從 20 世紀(jì)70 年代以雙列直插式封裝(Double In-line Package, DIP)為代表的第一代封裝技術(shù)到20 世紀(jì) 80 年代以薄型小尺寸封裝(Thin Small Outline Package,TSOP)為代表的第二代封裝技術(shù),再到 20 世紀(jì) 90 年代以球柵陣列封裝(Ball Grid Array,BGA)和芯片級封裝(Chip Scale Package,CSP)為代表的第三代封裝技術(shù),如今,已經(jīng)發(fā)展到以系統(tǒng)級封裝(System in a Package,SiP)為代表的第四代 3D 封裝技術(shù)。3D 封裝技術(shù)從原來的封裝元件概念演變成封裝系統(tǒng),SiP 實(shí)際上就是系統(tǒng)級的多芯片封裝,它是將多個(gè)芯片和可能的無源元件集成在同一封裝內(nèi),形成具有系統(tǒng)功能的模塊,因而可以實(shí)現(xiàn)較高的性能密度、更高的集成度、更小的成本和更大的靈活性,與第一代封裝相比,封裝效率提高 60-80%,使電子設(shè)備減小 1000 倍,性能提高 10 倍,成本降低 90%,可靠性增加 10 倍。SiP 封裝的實(shí)例如圖 1.2 所示[1]?v觀封裝的發(fā)展過程,可以看出,每一次封裝技術(shù)的革新都不同程度地縮短了封裝級的互連長度,即降低了封裝的寄生電感,從而為了系統(tǒng)速度的提高又提供了條件。
最后簡單介紹了宏模型算法。LCωrωδω圖 2.2 互連線的特性區(qū)域隨頻率和互連線長度的變化示意圖2.2 互連線的特性區(qū)域?qū)w損耗和介質(zhì)材料的損耗是隨著頻率的變化而變化,頻率越高,其損耗就越大。但是在不同的頻帶范圍內(nèi),對總體損耗起決定作用的損耗是不同的。一根寬為0.15 mm、特性阻抗為50歐姆、介質(zhì)材料為FR4(tan δ = 0.02)的銅質(zhì)( σ = 5.7 e7)帶狀線的特性區(qū)域隨頻率和互連線長度的變化如圖 2.2 所示[5]。從圖中可以看到,
本文編號(hào):3311555
【文章來源】:西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:130 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
Intel處理器、DRAM存儲(chǔ)量和Alter的FPGA邏輯單元數(shù)與晶體管數(shù)量和時(shí)間的關(guān)系示意圖
感和引腳電感就成為影響系統(tǒng)工作頻率提高的主要瓶頸。為了解決高速系統(tǒng)的封裝級電感對系統(tǒng)工作頻率的限制,芯片的封裝也經(jīng)歷了革命性的發(fā)展。從 20 世紀(jì)70 年代以雙列直插式封裝(Double In-line Package, DIP)為代表的第一代封裝技術(shù)到20 世紀(jì) 80 年代以薄型小尺寸封裝(Thin Small Outline Package,TSOP)為代表的第二代封裝技術(shù),再到 20 世紀(jì) 90 年代以球柵陣列封裝(Ball Grid Array,BGA)和芯片級封裝(Chip Scale Package,CSP)為代表的第三代封裝技術(shù),如今,已經(jīng)發(fā)展到以系統(tǒng)級封裝(System in a Package,SiP)為代表的第四代 3D 封裝技術(shù)。3D 封裝技術(shù)從原來的封裝元件概念演變成封裝系統(tǒng),SiP 實(shí)際上就是系統(tǒng)級的多芯片封裝,它是將多個(gè)芯片和可能的無源元件集成在同一封裝內(nèi),形成具有系統(tǒng)功能的模塊,因而可以實(shí)現(xiàn)較高的性能密度、更高的集成度、更小的成本和更大的靈活性,與第一代封裝相比,封裝效率提高 60-80%,使電子設(shè)備減小 1000 倍,性能提高 10 倍,成本降低 90%,可靠性增加 10 倍。SiP 封裝的實(shí)例如圖 1.2 所示[1]?v觀封裝的發(fā)展過程,可以看出,每一次封裝技術(shù)的革新都不同程度地縮短了封裝級的互連長度,即降低了封裝的寄生電感,從而為了系統(tǒng)速度的提高又提供了條件。
最后簡單介紹了宏模型算法。LCωrωδω圖 2.2 互連線的特性區(qū)域隨頻率和互連線長度的變化示意圖2.2 互連線的特性區(qū)域?qū)w損耗和介質(zhì)材料的損耗是隨著頻率的變化而變化,頻率越高,其損耗就越大。但是在不同的頻帶范圍內(nèi),對總體損耗起決定作用的損耗是不同的。一根寬為0.15 mm、特性阻抗為50歐姆、介質(zhì)材料為FR4(tan δ = 0.02)的銅質(zhì)( σ = 5.7 e7)帶狀線的特性區(qū)域隨頻率和互連線長度的變化如圖 2.2 所示[5]。從圖中可以看到,
本文編號(hào):3311555
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