目的對(duì)水熱法合成的硅量子點(diǎn)進(jìn)行疏水化修飾,制備一種基于量子點(diǎn)的膠束,并探討其在細(xì)胞成像中的應(yīng)用。方法以抗壞血酸和3-[2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基]丙基-三甲氧基硅烷為原料,采用水熱法合成硅量子點(diǎn)(SiQD),用十八烷基三甲氧基硅烷對(duì)SiQD表面進(jìn)行疏水化修飾獲得O-SiQD,將其與DSPE-PEG2000自組裝得到在水中能穩(wěn)定分散的膠束粒子(QDM),用透射電子顯微鏡(TEM)、丁達(dá)爾效應(yīng)和動(dòng)態(tài)光散射(DLS)等對(duì)其性能進(jìn)行表征;應(yīng)用CCK-8試劑盒檢測(cè)QDM的細(xì)胞毒性;利用高內(nèi)涵細(xì)胞成像系統(tǒng)評(píng)價(jià)QDM的細(xì)胞成像性能。結(jié)果 TEM結(jié)果顯示SiQD的粒徑為(3.64±0.11)nm;DLS表明QDM分布均勻,水合粒徑為(86.79±1.18)nm,表面電勢(shì)約為(-11.65±0.64)mV;QDM(<100 μg·mL^-1)無(wú)明顯細(xì)胞毒性;QDM與A549細(xì)胞孵育6 h后,在細(xì)胞胞漿內(nèi)能檢測(cè)到較好的量子點(diǎn)熒光信號(hào)。結(jié)論 O-SiQD的合成方法簡(jiǎn)單高效,安全劑量的QDM具有較好的胞內(nèi)成像功能。

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【部分圖文】：

圖3SiQD的性質(zhì)表征

圖2SiQD的粒徑表征圖4O-SiQD的性質(zhì)表征

圖5QDM的表征

3.3QDM的細(xì)胞毒性研究及其細(xì)胞成像圖6QDM的細(xì)胞成像實(shí)驗(yàn)

圖1O-SiQD(A)合成及QDM(B)制備示意圖

利用十八烷基三甲氧基硅烷對(duì)SiQD表面進(jìn)行疏水化修飾,制備疏水性硅量子點(diǎn)O-SiQD。由圖4A可知,SiQD經(jīng)修飾后,由原來(lái)的親水性轉(zhuǎn)變?yōu)槭杷?可以溶于氯仿中。對(duì)比SiQD與O-SiQD的紅外吸收光譜圖(見(jiàn)圖4B),O-SiQD在2920cm-1和1468cm-1處有明顯C....

圖2SiQD的粒徑表征

O-SiQD與DSPC-PEG2000通過(guò)薄膜水化法自組裝形成了QDM,當(dāng)使用激光光束照射時(shí),能觀察到明顯的丁達(dá)爾效應(yīng),且保留著發(fā)光性能(見(jiàn)圖5A),QDM的TEM圖顯示其接近球形(見(jiàn)圖5B),水合粒徑為(86.79±1.18)nm(見(jiàn)圖5C),表面電勢(shì)為(-11.65±0.64....

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