O 2 plasma處理對光刻膠潤濕性影響規(guī)律的研究
發(fā)布時間:2024-12-21 01:40
電子封裝正朝著微型化,多功能化發(fā)展。封裝中凸點尺寸要求的增加使得電鍍制備凸點時容易出現(xiàn)孔洞,裂紋等缺陷,甚至無法鍍滿凸點的情況。凸點的周圍是光刻膠,這是一種在微電子封裝中的重要材料。高深寬比,具有精密間距微孔的出現(xiàn)對光刻膠的鍍覆性能等要求也隨之而增加。光刻膠作為電子領(lǐng)域精細化加工的重要材料,對于封裝技術(shù)的進一步提高有著很大的影響。本文主要嘗試不同工藝參數(shù)下的氧等離子體處理對光刻膠表面潤濕性影響來尋找最優(yōu)的工藝條件,該方法具有工藝簡單可行性高,在工藝生產(chǎn)中可以大規(guī)模應(yīng)用,性能改善明顯且容易控制等優(yōu)點。本文通過不同的檢測手段來測試光刻膠表面的接觸角,表面結(jié)構(gòu)及成分變化,探究其經(jīng)處理后的潤濕性發(fā)生改變的機理;同時進行時效處理分析,對經(jīng)處理后的光刻膠的潤濕性能變化規(guī)律進行研究。通過實驗可知采用氧等離子體處理能夠很好地改善光刻膠表面潤濕性能,其中在不同功率的氧等離子體處理下潤濕性能得到了不同程度的提升。處理后光刻膠表面的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化,表面尖銳凸起變得平滑減小了氣墊效應(yīng),與渡液的有效接觸面積增加,表面粗糙度也有一定程度的增加;處理后光刻膠表面的成分也隨著工藝參數(shù)變化而改變,光刻膠表面引入了更多親水...
【文章頁數(shù)】:71 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 光刻膠的概況及分類
1.2.1 按照顯影原理及反應(yīng)機理分類
1.2.2 按光刻膠制備出圖案的最小尺寸分類
1.2.3 按光刻膠的曝光波長分類
1.3 光刻技術(shù)
1.4 光刻膠潤濕性的影響及固體表面的潤濕性機理
1.4.1 光刻膠潤濕性的影響
1.4.2 表面張力和表面自由能
1.4.3 固體表面的潤濕過程
1.5 改善光刻膠表面潤濕性的方法及研究現(xiàn)狀
1.6 論文的研究意義和內(nèi)容
1.6.1 研究意義
1.6.2 研究內(nèi)容
第二章 光刻膠樣品的制備與表征方法
2.1 帶有光刻圖形微結(jié)構(gòu)芯片的制備方法
2.2 樣品制備
2.2.1 光刻膠樣品制備
2.2.2 O2 plasma處理
2.2.3 O2 plasma后時效處理
2.3 表征方法
2.3.1 接觸角測試潤濕性
2.3.2 原子力顯微鏡測試表面形貌結(jié)構(gòu)與粗糙度
2.3.3 傅立葉紅外光譜測試表面成分
2.4 微觀結(jié)構(gòu)表面潤濕實驗?zāi)P?br> 2.4.1 潤濕方程
2.4.2 接觸角模型
2.5 本章小結(jié)
第三章 O2 Plasma處理的工藝參數(shù)研究
3.1 O2 Plasma實驗
3.1.1 O2 plasma處理實驗
3.1.2 接觸角測試
3.1.3 AFM測試表面結(jié)構(gòu)及粗糙度
3.1.4 ATR-FTIR測試表面成分
3.2 O2 Plasma處理對潤濕性的影響
3.2.1 功率對潤濕性的影響
3.2.2 表面結(jié)構(gòu)對潤濕性的影響
3.2.3 表面成分對潤濕性的影響
3.2.4 作用機理研究
3.3 本章小結(jié)
第四章 O2 Plasma處理后時效對潤濕性的影響
4.1 O2 plasma實驗
4.1.1 O2 plasma處理后時效實驗
4.1.2 接觸角測試潤濕性
4.1.3 AFM測試表面結(jié)構(gòu)及粗糙度
4.1.4 ATR-FTIR測試表面成分
4.2 O2 plasma處理后時效對潤濕性的影響
4.2.1 時效對潤濕性的影響
4.2.2 表面結(jié)構(gòu)對潤濕性的影響
4.2.3 表面成分對潤濕性的影響
4.2.4 作用機理研究
4.3 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與研究展望
5.1 全文總結(jié)
5.2 后續(xù)研究工作
參考文獻
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間已發(fā)表或錄用的論文
本文編號:4018190
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ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 光刻膠的概況及分類
1.2.1 按照顯影原理及反應(yīng)機理分類
1.2.2 按光刻膠制備出圖案的最小尺寸分類
1.2.3 按光刻膠的曝光波長分類
1.3 光刻技術(shù)
1.4 光刻膠潤濕性的影響及固體表面的潤濕性機理
1.4.1 光刻膠潤濕性的影響
1.4.2 表面張力和表面自由能
1.4.3 固體表面的潤濕過程
1.5 改善光刻膠表面潤濕性的方法及研究現(xiàn)狀
1.6 論文的研究意義和內(nèi)容
1.6.1 研究意義
1.6.2 研究內(nèi)容
第二章 光刻膠樣品的制備與表征方法
2.1 帶有光刻圖形微結(jié)構(gòu)芯片的制備方法
2.2 樣品制備
2.2.1 光刻膠樣品制備
2.2.2 O2 plasma處理
2.2.3 O2 plasma后時效處理
2.3 表征方法
2.3.1 接觸角測試潤濕性
2.3.2 原子力顯微鏡測試表面形貌結(jié)構(gòu)與粗糙度
2.3.3 傅立葉紅外光譜測試表面成分
2.4 微觀結(jié)構(gòu)表面潤濕實驗?zāi)P?br> 2.4.1 潤濕方程
2.4.2 接觸角模型
2.5 本章小結(jié)
第三章 O2 Plasma處理的工藝參數(shù)研究
3.1 O2 Plasma實驗
3.1.1 O2 plasma處理實驗
3.1.2 接觸角測試
3.1.3 AFM測試表面結(jié)構(gòu)及粗糙度
3.1.4 ATR-FTIR測試表面成分
3.2 O2 Plasma處理對潤濕性的影響
3.2.1 功率對潤濕性的影響
3.2.2 表面結(jié)構(gòu)對潤濕性的影響
3.2.3 表面成分對潤濕性的影響
3.2.4 作用機理研究
3.3 本章小結(jié)
第四章 O2 Plasma處理后時效對潤濕性的影響
4.1 O2 plasma實驗
4.1.1 O2 plasma處理后時效實驗
4.1.2 接觸角測試潤濕性
4.1.3 AFM測試表面結(jié)構(gòu)及粗糙度
4.1.4 ATR-FTIR測試表面成分
4.2 O2 plasma處理后時效對潤濕性的影響
4.2.1 時效對潤濕性的影響
4.2.2 表面結(jié)構(gòu)對潤濕性的影響
4.2.3 表面成分對潤濕性的影響
4.2.4 作用機理研究
4.3 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與研究展望
5.1 全文總結(jié)
5.2 后續(xù)研究工作
參考文獻
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