發(fā)布時(shí)間：2024-05-07 22:55

　　近年來(lái),隨著硅橡膠(SiR)絕緣材料在電力系統(tǒng)中使用量的增大,提升SiR耐漏電起痕性能的研究也在不斷深入。與無(wú)機(jī)耐漏電起痕添加劑相比,以鉑催化劑-含氮硅烷為代表的有機(jī)耐漏電起痕添加劑具有添加量少、使用方便、對(duì)SiR加工性能及力學(xué)性能影響小等優(yōu)勢(shì)。同時(shí),鉑-含氮硅烷體系對(duì)SiR高溫下的有機(jī)-無(wú)機(jī)轉(zhuǎn)變表現(xiàn)出了顯著的促進(jìn)作用,這對(duì)提高SiR的耐漏電起痕性能具有重要作用,且在聚合物衍生陶瓷中存在巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值。本課題以鉑催化劑為核心,配合含氫硅油(H-SO)、磷酸鋯、含氮硅烷、含硫硅烷等化合物,構(gòu)建了多個(gè)含鉑催化體系,系統(tǒng)地研究了含鉑催化體系對(duì)SiR耐漏電起痕性能及高溫下有機(jī)-無(wú)機(jī)轉(zhuǎn)變的影響,并深入探討了其中的作用機(jī)理,大幅拓展了含鉑催化體系在有機(jī)硅領(lǐng)域的應(yīng)用。主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下:(1)研究了鉑-含氫硅油體系對(duì)SiR耐漏電起痕性能的影響,進(jìn)一步探討了不同H-SO用量對(duì)SiR交聯(lián)密度、力學(xué)性能、憎水恢復(fù)性、熱穩(wěn)定性以及高溫下質(zhì)量殘余率的影響。研究發(fā)現(xiàn),鉑-含氫硅油體系可顯著提高SiR的耐漏電起痕性能。添加10 ppm鉑和12.0 phr H-SO的SiR在4.5 kV下可通過(guò)6h耐漏電起...

【文章頁(yè)數(shù)】：163 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１－６硅橡膠的漏電起痕破壞過(guò)程??Ｆｉｇ．?１－６?Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ?ｔｒａｃｋｉｎｇ?ｏｆ?ｓｉｌｉｃｏｎｅ?ｒｕｂｂｅｒ??１１??

?第一章緒論???１．４．２硅橡膠的漏電起痕破壞??由于獨(dú)特的有機(jī)－無(wú)機(jī)雜化結(jié)構(gòu)和低表面能特性，硅橡膠材料具有優(yōu)異的電絕緣性??能和疏水性能，水在硅橡膠材料表面的形態(tài)通常呈現(xiàn)水珠狀而不會(huì)相互連接形成水膜［６７］。??但是，在戶外作為絕緣子外包材料的硅橡膠在實(shí)際使用的過(guò)程中容易沾染....

圖１－８陶瓷前驅(qū)體聚合物的成型方法［１＜）］??Ｆｉｇ．?１－８?Ｓｈａｐｉｎｇ?ｏｆ?ｐｒｅｃｅｒａｍｉｃ?ｐｏｌｙｍｅｒ??

變，制備了適用于髙溫環(huán)境的小直徑Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣ復(fù)合陶瓷纖維。??與一般的陶瓷制品相比，ＰＤＣｓ的優(yōu)勢(shì)在于，一方面ＰＤＣｓ的轉(zhuǎn)化溫度僅為１１００－??１３００°Ｃ，在能量損耗上更為經(jīng)濟(jì)；另一方面ＰＤＣｓ的前驅(qū)體為加工性能優(yōu)異聚合物材料，??諸如擠出成型、注塑成型、樹(shù)脂轉(zhuǎn)化成型（....

圖２－１?ＨＴＶＳＲ?（ａ）和ＡＬＳＲ?（ｂ）在漏電起痕測(cè)試中形成電痕的數(shù)碼照片??Ｆｉ．－１?Ｄｉｉｔａｌｈｏｔｏｓｆ?ｔｈｅ?ｅｌｅｃｔｒｔｒａｃｋｉｎｏｆ?ＨＴＳＲａａｎｄ?ＡＬＳＲｂｉｎ?ＩＰ?ｅｓｔｓ??

起痕和電蝕損性能，并對(duì)其中可能的機(jī)理進(jìn)行了較??為詳細(xì)的研究＠，８４，８８，８９，１２８］。在電弧放電的過(guò)程中，添加鉑絡(luò)合物和含氮硅烷的８浪表面??會(huì)迅速形成一層密實(shí)的陶瓷保護(hù)層，該保護(hù)層在抵御電弧轟擊的同時(shí)，有效降低了因ＳｉＲ??分子鏈降解導(dǎo)致的導(dǎo)電碳的形成幾率，抑制了電痕的產(chǎn)....

圖２－２斜面法耐漏電起痕試驗(yàn)的原理示意圖??Ｆｉｇ．２－２?Ｉｎｃｌｉｎｅｄ?ｐｌａｎｅ?（ＩＰ）?ｔｅｓｔ?ｓｅｔｕｐ??

準(zhǔn)污染液，并??將ＳｉＲ裁剪為１２０ｘ５０ｘ６?ｍｍ３的標(biāo)準(zhǔn)樣條。用乙醇和去離子水清洗樣條表面后，在鼓風(fēng)??干燥箱中烘干樣條表面水分。然后，將樣條固定在傾斜度為４５°的專(zhuān)用夾具上，每次測(cè)??試設(shè)置五個(gè)平行樣。在４．５?ｋＶ恒定交流電壓以及０．６?恒定污染液流速的條件??下，測(cè)試樣....

本文編號(hào)：3967114