電子、電氣、集成電路等領(lǐng)域不斷向“高速度、高密度、低功耗以及低成本”的方向發(fā)展,需要環(huán)氧塑封料具備高導(dǎo)熱、高絕緣等性能。本文從環(huán)氧塑封料基材配方、導(dǎo)熱粉體表面處理、導(dǎo)熱粉體選擇與復(fù)配等方面開展研究,期望制備導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到2.5W/（m·K）以上、絕緣與加工性能良好的環(huán)氧塑封料,主要研究內(nèi)容如下:（1）環(huán)氧塑封料基材配方。鄰甲酚醛環(huán)氧樹脂（NPCN-702）、聯(lián)苯環(huán)氧樹脂（BNPE-3501LL）、雙酚A型環(huán)氧樹脂（E-12）為環(huán)氧基材,線型酚醛2123、線型酚醛2402樹脂為固化劑,2,4,6-三（二甲胺基甲基）苯酚（DMP-30）、2-甲基咪唑（2-MZ）為固化促進(jìn)劑,研究它們的相互固化關(guān)系。結(jié)果發(fā)現(xiàn)鄰甲酚醛環(huán)氧樹脂、線型酚醛樹脂2402、DMP-30固化促進(jìn)劑為合適的原料組合,環(huán)氧樹脂環(huán)氧值與固化劑羥值的摩爾比為1:0.8,DMP-30的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5wt%。（2）導(dǎo)熱填料表面處理。采用γ-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）、γ-（2,3-環(huán)氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷（KH560）對粉體進(jìn)行表面處理,考察硅烷偶聯(lián)劑種類、用量對表面改性的影響。紅外光譜（FTIR）、熱失重（TG）結(jié)果表明... 

【文章來源】：合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：62 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

粉體的SEM圖

第三章結(jié)果與討論31圖3.20樣品的SEM圖(a)Al2O3,(b)Al2O3/球形SiO2復(fù)配Figure3.20SEMofsamples(a)Al2O3,(b)Al2O3/sphericalSiO2圖3.21Al2O3、Al2O3/球形SiO2復(fù)配塑封料的模型圖Figure3.21ModelofAl2O3、Al2O3/sphericalSiO2ofepoxymoldingcompoundAl2O3/球形SiO2復(fù)配對環(huán)氧塑封料絕緣性能的影響如圖3.22所示。隨著球形SiO2含量的增加體積電阻率、擊穿電壓強(qiáng)度越來越大，這是因?yàn)榍蛐蜸iO2是一種高絕緣填料，復(fù)合材料的絕緣性會(huì)有所增強(qiáng)，在填充量為10%wt時(shí)，體積電阻率達(dá)到了2.1×1014Ω·cm，擊穿電壓強(qiáng)度達(dá)到了27.4kV/mm，在擊穿時(shí)SiO2能抑制電樹枝的形成，使擊穿電壓強(qiáng)度增加。

第三章結(jié)果與討論31圖3.20樣品的SEM圖(a)Al2O3,(b)Al2O3/球形SiO2復(fù)配Figure3.20SEMofsamples(a)Al2O3,(b)Al2O3/sphericalSiO2圖3.21Al2O3、Al2O3/球形SiO2復(fù)配塑封料的模型圖Figure3.21ModelofAl2O3、Al2O3/sphericalSiO2ofepoxymoldingcompoundAl2O3/球形SiO2復(fù)配對環(huán)氧塑封料絕緣性能的影響如圖3.22所示。隨著球形SiO2含量的增加體積電阻率、擊穿電壓強(qiáng)度越來越大，這是因?yàn)榍蛐蜸iO2是一種高絕緣填料，復(fù)合材料的絕緣性會(huì)有所增強(qiáng)，在填充量為10%wt時(shí)，體積電阻率達(dá)到了2.1×1014Ω·cm，擊穿電壓強(qiáng)度達(dá)到了27.4kV/mm，在擊穿時(shí)SiO2能抑制電樹枝的形成，使擊穿電壓強(qiáng)度增加。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[10]電子封裝材料的研究與應(yīng)用[J]. 張文毓.  上海電氣技術(shù). 2017(02)

碩士論文
[1]耐高溫雜萘聯(lián)苯環(huán)氧膠粘劑及其納米改性研究[D]. 欒國棟.大連理工大學(xué) 2011



本文編號(hào)：3242775