幾種光色可調(diào)的硅/硼酸鹽熒光粉的制備和性能研究
發(fā)布時間:2021-04-02 06:17
具有節(jié)能、環(huán)保、高亮度、小巧等諸多優(yōu)點的白色發(fā)光二極管(WLEDs)被譽為第四代清潔照明光源。在眾多合成WLEDs的方法中,熒光粉轉(zhuǎn)換WLEDs(pc-WLEDs)由于其制作方法簡單、發(fā)光顏色可調(diào)、可精細調(diào)控等優(yōu)點,成為了制備WLEDs的一種主流方法。目前pc-WLEDs的主要實現(xiàn)方法是近紫外芯片組合紅綠藍三基色熒光粉或藍光芯片組合黃紅熒光粉,其性能主要取決于所選擇的熒光粉的發(fā)光性能,因此發(fā)光可調(diào)的、在近紫外或藍光區(qū)有強吸收的、具有良好性能的熒光粉的研制具有重要的意義。本論文主要從以下兩個方面的內(nèi)容開展研究,一是選擇Ca3(SiO3)3作為基質(zhì),研究激活離子Ce3+在基質(zhì)中不同格位的占位調(diào)控與其發(fā)光性能的關(guān)系,二是分別選擇La2Si2O7和Sr3Y2(BO3)4為基質(zhì),通過共摻的激活劑離子間的能量傳遞實現(xiàn)光譜調(diào)控。具體研究內(nèi)容和結(jié)果如下:1.選擇了...
【文章來源】:湖南師范大學湖南省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:94 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
CSO:3xCe3+熒光粉的XRD圖,(a)不同合成條件下合成的x=0.02樣品的XRD圖,(b)在1250°C加H3BO3助熔劑條件下灼燒5h所得樣品的XRD圖
150.18Ce3+(x = 0.06)熒光粉的激發(fā)和發(fā)射光譜;(b) 在 330 n為 360 nm 和 380 nm 處的發(fā)射強度隨 Ce3+濃度的變化);(cL B 發(fā)射帶(內(nèi)插圖為 400 nm 處的發(fā)射強度隨 Ce3+濃度的L and PLE spectra of CSO:0.18Ce3+(x = 0.06), (b) PLA bandsnsity at 360 and 380 nm versus Ce3+content), (c) PL B bands e(insert: PL intensity at 400 nm versus Ce3+content).化時,除了發(fā)射強度發(fā)生變化之外,發(fā)射帶和激發(fā)變。圖 2-4 的歸一化發(fā)射和激發(fā)光譜清晰地展現(xiàn)了發(fā)況。當 x 從 0.01 逐漸增大到 0.08,PLA 帶的位置逐0 nm 肩峰變?nèi)。?PL B 帶的位置幾乎沒有發(fā)生變化
圖 2-4. CSO:3xCe3+熒光粉的歸一化發(fā)射光譜圖,(a) PLA 光譜( ex= 330 nm)和(b) PL B 光譜( ex= 360 nm)。Figure 2-4. Normalized PL spectra of CSO:3xCe3+phosphors. (a) PLA spectra ( ex= 330 nm), (b)PL B spectra ( ex= 360 nm).圖 2-5 為 CSO:3xCe3+熒光粉(x = 0.01、0.03、0.05、0.07)的歸一化的激發(fā)光譜圖。在 350 nm、380 nm 和 400 nm 監(jiān)控下得到的激發(fā)帶的位置均位于 330 nm左右,隨著 Ce3+摻入量的增加在 350 – 375 nm 范圍出現(xiàn)了一個激發(fā)帶且逐漸增強(如圖 2-5a 和 2-5d 所示),而且 400 nm 監(jiān)控下該激發(fā)帶隨 Ce3+含量的變化比 380nm 監(jiān)控下得到的該激發(fā)帶的強度變化要快很多。在 350 nm 監(jiān)控下,激發(fā)帶最強峰位于~327 nm 處,在~308 nm 有一個肩峰,在~255 nm 處有一個弱激發(fā)帶。在380 nm 和 400 nm 監(jiān)控下得到的發(fā)射帶的峰的輪廓與 350 nm 監(jiān)控下的發(fā)射帶是不同的,位于 280 nm 和 350 nm 處的激發(fā)強度明顯強很多。此外,隨著監(jiān)控波長
【參考文獻】:
期刊論文
[1]淺析LED原理及其照明應用[J]. 汪銘. 福建質(zhì)量管理. 2016(02)
[2]WLED用單基質(zhì)硅酸鹽熒光粉的制備及性能研究[J]. 湯新程,齊亮,暴天曉,張巖,劉乃康,吳澤. 化學與黏合. 2014(04)
[3]大功率白光LED的應用及其可靠性研究[J]. 么東閣,陳建新,閆靜. 照明工程學報. 2011(02)
[4]LED原理及其照明應用[J]. 王聲學,吳廣寧,蔣偉,邊珊珊,李生林. 燈與照明. 2006(04)
[5]半導體照明的曙光[J]. 周太明. 照明工程學報. 2004(02)
[6]稀土固體發(fā)光材料與性質(zhì)[J]. 毛向輝. 湖南有色金屬. 1985(06)
[7]希土固體發(fā)光[J]. 李彬,石春山. 化學通報. 1983(02)
博士論文
[1]應用于白光LED的鋁基發(fā)光材料的制備與發(fā)光性能研究[D]. 萬軍.浙江大學 2017
[2]紅色稀土硼酸鹽和硼鋁酸鹽熒光粉的制備及發(fā)光性能研究[D]. 賈林艷.東北大學 2013
碩士論文
[1]稀土離子摻雜單基質(zhì)白光LED用熒光粉的制備及性能研究[D]. 謝偉杰.南昌航空大學 2018
[2]白光LED用稀土摻雜復合金屬氧化物熒光粉的制備及性能研究[D]. 馮景春.南昌航空大學 2018
[3]Eu2+激活的硼酸鹽熒光粉的制備及發(fā)光性能研究[D]. 馬健.青島科技大學 2018
[4]稀土離子摻雜MAl2Si2O8(M=Sr,Ba)w-LEDs用熒光粉的制備和發(fā)光性能研究[D]. 馬平川.吉林大學 2017
[5]單一基質(zhì)光色可調(diào)白光熒光粉的合成及其光學性質(zhì)研究[D]. 關(guān)安翔.廣西大學 2017
[6]幾種光色可調(diào)熒光粉的制備及性能研究[D]. 李帥龍.南昌航空大學 2017
[7]LED用紅色熒光粉的制備與熒光性能研究[D]. 劉振鵬.哈爾濱理工大學 2017
[8]稀土Eu離子激活的銻酸鹽和硅酸鹽熒光粉發(fā)光性能及其機理研究[D]. 王婧.蘇州大學 2016
[9]白光LED用稀土熒光粉體的制備及發(fā)光性能研究[D]. 董婷婷.吉林大學 2014
本文編號:3114759
【文章來源】:湖南師范大學湖南省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:94 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
CSO:3xCe3+熒光粉的XRD圖,(a)不同合成條件下合成的x=0.02樣品的XRD圖,(b)在1250°C加H3BO3助熔劑條件下灼燒5h所得樣品的XRD圖
150.18Ce3+(x = 0.06)熒光粉的激發(fā)和發(fā)射光譜;(b) 在 330 n為 360 nm 和 380 nm 處的發(fā)射強度隨 Ce3+濃度的變化);(cL B 發(fā)射帶(內(nèi)插圖為 400 nm 處的發(fā)射強度隨 Ce3+濃度的L and PLE spectra of CSO:0.18Ce3+(x = 0.06), (b) PLA bandsnsity at 360 and 380 nm versus Ce3+content), (c) PL B bands e(insert: PL intensity at 400 nm versus Ce3+content).化時,除了發(fā)射強度發(fā)生變化之外,發(fā)射帶和激發(fā)變。圖 2-4 的歸一化發(fā)射和激發(fā)光譜清晰地展現(xiàn)了發(fā)況。當 x 從 0.01 逐漸增大到 0.08,PLA 帶的位置逐0 nm 肩峰變?nèi)。?PL B 帶的位置幾乎沒有發(fā)生變化
圖 2-4. CSO:3xCe3+熒光粉的歸一化發(fā)射光譜圖,(a) PLA 光譜( ex= 330 nm)和(b) PL B 光譜( ex= 360 nm)。Figure 2-4. Normalized PL spectra of CSO:3xCe3+phosphors. (a) PLA spectra ( ex= 330 nm), (b)PL B spectra ( ex= 360 nm).圖 2-5 為 CSO:3xCe3+熒光粉(x = 0.01、0.03、0.05、0.07)的歸一化的激發(fā)光譜圖。在 350 nm、380 nm 和 400 nm 監(jiān)控下得到的激發(fā)帶的位置均位于 330 nm左右,隨著 Ce3+摻入量的增加在 350 – 375 nm 范圍出現(xiàn)了一個激發(fā)帶且逐漸增強(如圖 2-5a 和 2-5d 所示),而且 400 nm 監(jiān)控下該激發(fā)帶隨 Ce3+含量的變化比 380nm 監(jiān)控下得到的該激發(fā)帶的強度變化要快很多。在 350 nm 監(jiān)控下,激發(fā)帶最強峰位于~327 nm 處,在~308 nm 有一個肩峰,在~255 nm 處有一個弱激發(fā)帶。在380 nm 和 400 nm 監(jiān)控下得到的發(fā)射帶的峰的輪廓與 350 nm 監(jiān)控下的發(fā)射帶是不同的,位于 280 nm 和 350 nm 處的激發(fā)強度明顯強很多。此外,隨著監(jiān)控波長
【參考文獻】:
期刊論文
[1]淺析LED原理及其照明應用[J]. 汪銘. 福建質(zhì)量管理. 2016(02)
[2]WLED用單基質(zhì)硅酸鹽熒光粉的制備及性能研究[J]. 湯新程,齊亮,暴天曉,張巖,劉乃康,吳澤. 化學與黏合. 2014(04)
[3]大功率白光LED的應用及其可靠性研究[J]. 么東閣,陳建新,閆靜. 照明工程學報. 2011(02)
[4]LED原理及其照明應用[J]. 王聲學,吳廣寧,蔣偉,邊珊珊,李生林. 燈與照明. 2006(04)
[5]半導體照明的曙光[J]. 周太明. 照明工程學報. 2004(02)
[6]稀土固體發(fā)光材料與性質(zhì)[J]. 毛向輝. 湖南有色金屬. 1985(06)
[7]希土固體發(fā)光[J]. 李彬,石春山. 化學通報. 1983(02)
博士論文
[1]應用于白光LED的鋁基發(fā)光材料的制備與發(fā)光性能研究[D]. 萬軍.浙江大學 2017
[2]紅色稀土硼酸鹽和硼鋁酸鹽熒光粉的制備及發(fā)光性能研究[D]. 賈林艷.東北大學 2013
碩士論文
[1]稀土離子摻雜單基質(zhì)白光LED用熒光粉的制備及性能研究[D]. 謝偉杰.南昌航空大學 2018
[2]白光LED用稀土摻雜復合金屬氧化物熒光粉的制備及性能研究[D]. 馮景春.南昌航空大學 2018
[3]Eu2+激活的硼酸鹽熒光粉的制備及發(fā)光性能研究[D]. 馬健.青島科技大學 2018
[4]稀土離子摻雜MAl2Si2O8(M=Sr,Ba)w-LEDs用熒光粉的制備和發(fā)光性能研究[D]. 馬平川.吉林大學 2017
[5]單一基質(zhì)光色可調(diào)白光熒光粉的合成及其光學性質(zhì)研究[D]. 關(guān)安翔.廣西大學 2017
[6]幾種光色可調(diào)熒光粉的制備及性能研究[D]. 李帥龍.南昌航空大學 2017
[7]LED用紅色熒光粉的制備與熒光性能研究[D]. 劉振鵬.哈爾濱理工大學 2017
[8]稀土Eu離子激活的銻酸鹽和硅酸鹽熒光粉發(fā)光性能及其機理研究[D]. 王婧.蘇州大學 2016
[9]白光LED用稀土熒光粉體的制備及發(fā)光性能研究[D]. 董婷婷.吉林大學 2014
本文編號:3114759
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