橡膠表面DLC薄膜的磁控濺射制備參數(shù)研究和密封性能評(píng)價(jià)
【學(xué)位單位】:海南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TB306;TQ336.42
【部分圖文】:
圖3.2同壓NBR上沉DLC薄Raman514.5?nm,0.2??
可以看出G-peak位置從大約1540?cm-1開(kāi)始略有增加,但ID/IG從1.0下降到??0.3。通常,G-peak位置被認(rèn)為取決于鍵無(wú)序性和sp2環(huán)或鏈的存在:sp2鏈數(shù)量的增??加直接引起G-peak位置增加(A?C?Ferrari?&?Robertson,?2000)。G峰位置信息(圖3.3?a)??表明,sp2鏈的數(shù)量隨著氣壓的增加而增加,但鍵無(wú)序?qū)Γ欠逦恢玫挠绊懸膊蝗莺鲆暋??通常情況下,如果sp3鍵的比例超過(guò)20%,那么在入射光波長(zhǎng)為514?nm的拉曼光譜??中,Id/Ig應(yīng)該小于0.2?(A?C?Ferrari?&?Robertson,?2000)。合成的DLC薄膜的非晶化程??度屬于納米石墨到無(wú)定形碳之間的階段,其結(jié)構(gòu)主要由卷曲環(huán)狀構(gòu)型的sp2鍵組成(5、??6、7、8?碳原子環(huán)),sp3?鍵很少(如果有的話)(Beeman,1984;Gallie/a/.,?1989;Li&Lannin,??1990;?Stephan?et?al.9?1994)〇??結(jié)合Id/Ig趨勢(shì)(圖3.3b)可以看出,隨著氣壓增加(AndreaCarloFerrari,2002),sp2??環(huán)的存在減少,sp3鍵的數(shù)量增加。因此,在無(wú)氫和氫化DLC沉積過(guò)程中,sp3鍵在??入射物質(zhì)擁有相對(duì)較高的動(dòng)能下更有利于形成。此外
?3.?4紅外光譜??FTIR光譜用于識(shí)別官能團(tuán),并呈現(xiàn)出薄膜中各種鍵的不同振動(dòng)模式。圖3.4為??NBR基體和在NBR上沉積的DLC薄膜的紅外光譜圖。在DLC薄膜的光譜中都出現(xiàn)??了?1241?cm-1的峰(sp3?C-C),說(shuō)明DLC膜中存在碳原子四面體結(jié)構(gòu)。在1650?cm—1的??一個(gè)弱峰表示C?=?C的伸縮振動(dòng)?梢杂^察到NBR在1650?cm—1的峰比DLC薄膜在??此位置的峰強(qiáng),主要原因在于丁腈橡膠由順丁二烯構(gòu)成,其中包含非中心對(duì)稱C?=?C。??重要的是,隨著沉積DLC的氣壓增加,C?=?C所反映的峰值強(qiáng)度逐漸減弱,與拉曼光??譜的結(jié)果相匹配(圖3.2)。此外,在?723?cnr1的弱峰屬于類石墨碳平面外彎曲(Hsieh??da/.
【相似文獻(xiàn)】
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