超高分子量聚乙烯納米復(fù)合材料的原位構(gòu)筑及其摩擦學(xué)性能
【學(xué)位授予單位】:揚(yáng)州大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:TQ325.12;TB332
【圖文】:
Fig.邋3.2邋FT-IR邋spectra邋of邋the邋SNS/UHMWPE邋composites.逡逑3.1.4邋X射線衍射分析逡逑在圖3.3中,我們比較了不同Si02納米球含量的復(fù)合材料的XRD圖譜。Si02納米球逡逑/UHMWEP復(fù)合材料與純UHMWPE的XRD圖譜中都出現(xiàn)了兩個(gè)較為明顯的特征峰,21.6°逡逑和23.9?煞謩e對應(yīng)正交晶相的(丨10)面和(2邋0邋0)面[18]邋(JCPDS:53-1859)。復(fù)合材料逡逑與純UHMWPE在30.0。和36.2。都表現(xiàn)出了微弱的衍射峰,可指定到正交晶相的(2邋1邋0)逡逑和(0邋2邋0)面1191。在添加Si02納米球之后,復(fù)合材料未出現(xiàn)Si02的特征衍射峰,說明生逡逑成的Si02屬于無定型結(jié)構(gòu),Si02納米球的加入沒有使UHMWPE的晶體結(jié)構(gòu)與大小發(fā)生改逡逑變,并且與UHMWPE基體材料結(jié)合良好,未對UHMWPE起到異相成核的作用。在增加逡逑SD2納米球含量的同時(shí)復(fù)合材料的峰型也沒有出現(xiàn)明顯變化,但是峰強(qiáng)存在下降趨勢,這逡逑可能是由于在復(fù)合材料體系中UHMWPE的相對含量逐漸下降所導(dǎo)致的。UHMWPE晶核逡逑的擴(kuò)散和排列被8丨02納米球限制了,UHMWPE分子鏈?zhǔn)軣釙r(shí)的運(yùn)動也將受到阻礙,這也
邐Wavcnumbcr/cm'逡逑圖3.2邋Si02納米球/UHMWPE復(fù)合材料紅外光譜逡逑Fig.邋3.2邋FT-IR邋spectra邋of邋the邋SNS/UHMWPE邋composites.逡逑3.1.4邋X射線衍射分析逡逑在圖3.3中,我們比較了不同Si02納米球含量的復(fù)合材料的XRD圖譜。Si02納米球逡逑/UHMWEP復(fù)合材料與純UHMWPE的XRD圖譜中都出現(xiàn)了兩個(gè)較為明顯的特征峰,21.6°逡逑和23.9。可分別對應(yīng)正交晶相的(丨10)面和(2邋0邋0)面[18]邋(JCPDS:53-1859)。復(fù)合材料逡逑與純UHMWPE在30.0。和36.2。都表現(xiàn)出了微弱的衍射峰,可指定到正交晶相的(2邋1邋0)逡逑和(0邋2邋0)面1191。在添加Si02納米球之后,復(fù)合材料未出現(xiàn)Si02的特征衍射峰,說明生逡逑成的Si02屬于無定型結(jié)構(gòu),Si02納米球的加入沒有使UHMWPE的晶體結(jié)構(gòu)與大小發(fā)生改逡逑變,并且與UHMWPE基體材料結(jié)合良好,未對UHMWPE起到異相成核的作用。在增加逡逑SD2納米球含量的同時(shí)復(fù)合材料的峰型也沒有出現(xiàn)明顯變化,但是峰強(qiáng)存在下降趨勢,這逡逑可能是由于在復(fù)合材料體系中UHMWPE的相對含量逐漸下降所導(dǎo)致的。UHMWPE晶核逡逑的擴(kuò)散和排列被8丨02納米球限制了
時(shí)產(chǎn)生的轉(zhuǎn)移膜不易被水沖刷帶走,轉(zhuǎn)移膜得以穩(wěn)定存在,這將有助于提高材料在水環(huán)境逡逑下的耐磨性能。獲得合適的粗糙程度和較低的表面能是提高材料表面疏水性重要因素。逡逑圖3.4展示了不同Si02含量的復(fù)合材料的疏水性能測試結(jié)果,而圖3.5總結(jié)了復(fù)合材料的逡逑接觸角隨Si02含量的變化關(guān)系曲線。純UHMWPE的平均接觸角為87.7°,總體疏水性較高,逡逑在逐漸增加Si02納米球含量后,復(fù)合材料的接觸角由91.5°增加到了96.2°在Si02納米球填充逡逑量為4%時(shí)達(dá)到最大,并且接觸角角度的增加幅度逐漸放緩。說明Si02的加入有助于進(jìn)一步逡逑提高復(fù)合材料的疏水性能。UHMWPE材料表面屬于粗糙結(jié)構(gòu),在同液滴發(fā)生接觸時(shí)液滴與逡逑材料表面相互作用的勢能較低,接觸的間隙中存在氣相,為非均勻浸潤模式,適用于CaSS1e逡逑復(fù)合接觸模型[21]。SiCb的加入使復(fù)合材料表面粗糙程度增加,表面自由能進(jìn)一步降低,從逡逑而讓接觸角增大,提尚復(fù)合材料的疏水性能,可能有利于UHMWPE水摩
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本文編號:2775185
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