在北京師范大學(xué)GIC4117 2×1.7 MV串列加速器上,利用離子激發(fā)發(fā)光(ions beam induced luminescence,IBIL)技術(shù)研究了2 MeV H⁺注入ZnO的缺陷變化及473和800 K退火處理對缺陷的恢復(fù)作用.實驗表明,在2 MeV H⁺的輻照下,晶體內(nèi)部產(chǎn)生的點缺陷會快速移動、聚集成團(tuán)簇,從而抑制發(fā)光.473 K退火后的受輻照ZnO晶體內(nèi)仍存在著大量的缺陷和團(tuán)簇,而這些缺陷和團(tuán)簇作為非輻射中心抑制著ZnO晶體的發(fā)光.800 K的退火處理可以顯著地分解輻照過程中形成的團(tuán)簇,也可以幫助點缺陷回到晶格位置,從而減少晶體內(nèi)部的不平衡缺陷,提高晶體的結(jié)晶度,使退火后的受輻照ZnO樣品IBIL光強大幅度增強.

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