用于中子管的微波離子源放電特性的仿真研究
發(fā)布時(shí)間:2022-10-22 17:57
微波離子源作為一種無(wú)陰極離子源,與潘寧離子源相比具有電離度高、形成的等離子體密度高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。為了深入了解用于中子管微波離子源的放電特性,根據(jù)微波離子源的放電原理,設(shè)計(jì)中子管微波離子源的幾何結(jié)構(gòu)和所需磁鐵的結(jié)構(gòu)。結(jié)合Comsol多物理場(chǎng)仿真軟件中的二維軸對(duì)稱的AC/DC模塊和微波等離子體模塊,采用控制變量法,通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn)探究了放電氣壓、微波輸入功率、放電腔室大小以及放電腔室外壁材料對(duì)電子密度的影響,總結(jié)了電子密度在不同參數(shù)下的規(guī)律,將為中子管微波離子源的實(shí)驗(yàn)和設(shè)計(jì)提供重要支撐。
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【文章目錄】:
1 中子管微波離子源的放電理論
2 中子管微波離子源的Comsol模擬仿真
2.1 離子源放電腔體的仿真模型
2.2 探究放電氣壓和微波輸入功率對(duì)電子密度的影響
2.3 探究放電腔室的大小和外壁材料不同時(shí)對(duì)電子密度的影響
3 結(jié)論與分析
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]中子管用潘寧離子源電離特性研究[J]. 李卓希,楊洪廣. 電子世界. 2019(11)
[2]提高中子管產(chǎn)額的措施[J]. 喬雙,景士偉. 核技術(shù). 2011(12)
[3]中子管的研究進(jìn)展及應(yīng)用[J]. 喬亞華. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2008(06)
[4]2.45GHz單電荷態(tài)電子回旋共振離子源[J]. 丁俊章,趙玉彬,劉占穩(wěn),趙紅衛(wèi),袁平,曹云,雷海亮,張子民,張雪珍,張汶,郭曉虹,王輝,馮玉成,李錦玉,馬保華,高級(jí)元,宋沛,李錫霞. 核技術(shù). 2001(01)
[5]中子管微波離子源的微波吸收效率[J]. 古力,景士偉,岳成波,張弛,劉林茂. 物理實(shí)驗(yàn). 2000(12)
博士論文
[1]強(qiáng)流ECR質(zhì)子源及束流引出和傳輸特性的研究[D]. 馮哲.清華大學(xué) 2011
本文編號(hào):3696589
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【文章目錄】:
1 中子管微波離子源的放電理論
2 中子管微波離子源的Comsol模擬仿真
2.1 離子源放電腔體的仿真模型
2.2 探究放電氣壓和微波輸入功率對(duì)電子密度的影響
2.3 探究放電腔室的大小和外壁材料不同時(shí)對(duì)電子密度的影響
3 結(jié)論與分析
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]中子管用潘寧離子源電離特性研究[J]. 李卓希,楊洪廣. 電子世界. 2019(11)
[2]提高中子管產(chǎn)額的措施[J]. 喬雙,景士偉. 核技術(shù). 2011(12)
[3]中子管的研究進(jìn)展及應(yīng)用[J]. 喬亞華. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2008(06)
[4]2.45GHz單電荷態(tài)電子回旋共振離子源[J]. 丁俊章,趙玉彬,劉占穩(wěn),趙紅衛(wèi),袁平,曹云,雷海亮,張子民,張雪珍,張汶,郭曉虹,王輝,馮玉成,李錦玉,馬保華,高級(jí)元,宋沛,李錫霞. 核技術(shù). 2001(01)
[5]中子管微波離子源的微波吸收效率[J]. 古力,景士偉,岳成波,張弛,劉林茂. 物理實(shí)驗(yàn). 2000(12)
博士論文
[1]強(qiáng)流ECR質(zhì)子源及束流引出和傳輸特性的研究[D]. 馮哲.清華大學(xué) 2011
本文編號(hào):3696589
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