基于數(shù)值方法分析了中國(guó)聚變工程實(shí)驗(yàn)堆真空室預(yù)研件（CFETRVVmock-up）在大破裂工況（MD）下不同位形所對(duì)應(yīng)的電磁參數(shù),重點(diǎn)分析了不同位形運(yùn)行條件下真空室上渦流和電磁力的分布及對(duì)比。結(jié)果表明,三種等離子體位形下VV電磁載荷分布情況近乎相等,各軸向分力最大值及各分段的最大值存在差異。電磁載荷的獲得為進(jìn)一步校核CFETR VV mock-up的局部結(jié)構(gòu)強(qiáng)度提供了數(shù)據(jù)基礎(chǔ),對(duì)提高真空室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理性和運(yùn)行的安全性具有重要作用。 

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 引言
2 真空室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
3 電磁分析及計(jì)算
    3.1 理論基礎(chǔ)
    3.2 計(jì)算模型
    3.3 邊界條件
4 計(jì)算結(jié)果
5 總結(jié)



本文編號(hào)：3661280