近幾年單層和少層MoS₂迅速發(fā)展并應(yīng)用于納米電子器件和光電子器件等領(lǐng)域,本文采用微機(jī)械力剝離法制備SiO₂/Si基底上的1-4層MoS₂,通過(guò)光學(xué)顯微鏡和Raman光譜儀確定MoS₂的層數(shù),利用蘭州重離子加速器提供的9.5 MeV/u的209Bi離子、19.5 MeV/u的86Kr離子以及5.66 MeV/u的56Fe離子對(duì)制備的樣品進(jìn)行輻照。借助原子力顯微鏡（AFM）和透射電子顯微鏡（TEM）對(duì)輻照前后的樣品進(jìn)行表征,對(duì)快重離子在MoS₂中產(chǎn)生的損傷形貌進(jìn)行觀測(cè);應(yīng)用多種光譜技術(shù),包括Raman、共振Raman、紫外可見(jiàn)光譜（UV-Vis）和X射線光電子能譜（XPS）研究了快重離子輻照MoS₂引起的性質(zhì)變化。主要研究結(jié)果如下:AFM測(cè)量得到輻照后的體MoS₂晶體、SiO₂/Si基底上的三層和單層MoS₂表面都有小丘狀突起。不同層數(shù)MoS₂表面突起的徑跡產(chǎn)生率基本相同,... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所)甘肅省

【文章頁(yè)數(shù)】：103 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

不同能量范圍的離子在材料科學(xué)中的作用示意圖

州重離子加速器（Heavy Ion Research Facility in Lanzhou,HIRFL）是、加速離子種類(lèi)最多、能量最高的重離子研究裝置，主要技術(shù)指標(biāo)水平。HIRFL（圖 1.2）由 ECR 離子源、扇聚焦回旋加速器、分離、放射性束流線、冷卻儲(chǔ)存環(huán)（包括主環(huán)和實(shí)驗(yàn)環(huán)）等組成。HIR全離子的能力，可提供多種類(lèi)、寬能量范圍、高品質(zhì)的穩(wěn)定核束和以開(kāi)展重離子物理及交叉學(xué)科研究。其中輻照終端（即圖 1.2 中的驗(yàn)終端）適用于進(jìn)行材料科學(xué)、凝聚態(tài)物理和單粒子效應(yīng)等領(lǐng)域的究。輻照終端在設(shè)計(jì)上兼顧了不同實(shí)驗(yàn)的多種要求，特別是在輻照面，具有先進(jìn)的技術(shù)水平。輻照終端自運(yùn)行以來(lái)，為國(guó)內(nèi)科研單位一系列國(guó)家重大項(xiàng)目提供了良好的實(shí)驗(yàn)條件，在材料科學(xué)中的快重研究、在工程技術(shù)中的核孔膜制備、宇航半導(dǎo)體器件的單粒子效應(yīng)已取得了許多重要的成果，這些成果不僅具有重要的科學(xué)意義，而應(yīng)用前景。

單層和少層 MoS2的快重離子輻照效品表征方法Raman 光譜學(xué)曼（Raman）光譜是一種散射光譜，基本原理是印度科學(xué)家 Raman射效應(yīng)，由 Raman 光譜可得到分子的振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)信息，研究分子結(jié)圖 1.3 所示，入射光照射時(shí)，光與物質(zhì)相互作用，處于基態(tài)的分子虛態(tài)，然后虛態(tài)上的電子立即退激到下能級(jí)而發(fā)出散射光。散射光頻率相等的散射是瑞利散射；散射光頻率和入射光頻率不相等的是中，散射光頻率小于入射光頻率的部分是斯托克斯散射，散射光頻頻率的是反斯托克斯散射[15]。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]快重離子電子能損引起的缺陷產(chǎn)生及其后續(xù)效應(yīng)[J]. 侯明東,劉杰,孫友梅,姚會(huì)軍,段敬來(lái),尹經(jīng)敏,莫丹,張苓,陳艷峰.  原子能科學(xué)技術(shù). 2008(07)
[2]X射線光電子能譜[J]. 郭沁林.  物理. 2007(05)
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[4]Observation of Radiation Damage of Energetic Heavy Ions Impacts on MoS Surface by Scanning Tunneling Microscopy[J]. 翟鵬濟(jì),呂峰,唐孝威,魏駿,賀節(jié),商廣義,姚駿恩.  Science in China,Ser.A. 1993(06)



本文編號(hào)：3576612