同步輻射束線工程中相關(guān)技術(shù)的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-12-19 07:08
同步輻射憑借極其優(yōu)良的品質(zhì)成為當(dāng)今不可替代的最佳人工光源,自20世紀(jì)60年代以來,電子儲(chǔ)存環(huán)作為穩(wěn)定產(chǎn)生同步輻射的專用裝置,歷經(jīng)三個(gè)階段的發(fā)展,業(yè)已完善,并相繼建成了60多臺(tái)。它們棋布于世界各地,成為眾多研究領(lǐng)域的科學(xué)平臺(tái),不斷產(chǎn)生出令人矚目的創(chuàng)新成果。近年來,第四代光源(X射線自由電子激光)的出現(xiàn)和發(fā)展,為人類探索各種瞬態(tài)和動(dòng)態(tài)物理過程,研究各種核反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)機(jī)理提供了嶄新的工具和平臺(tái)。光束線連接著同步輻射光源和實(shí)驗(yàn)站,是各類光學(xué)元件經(jīng)優(yōu)化組合,線性排布于真空室內(nèi),形成數(shù)十米甚至上百米長的大型光學(xué)傳輸系統(tǒng)。它將光源發(fā)出的“白光”,加工成具有一定光譜能量、光子通量、能量分辨、偏振特性、束斑尺寸等要求的單色光,并安全、可靠、高效地傳輸?shù)綄?shí)驗(yàn)樣品上。隨著光源發(fā)射水平的日趨提高和各領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)研究手段的不斷需求,以光學(xué)設(shè)計(jì)和元件研制為主體的光學(xué)束線技術(shù)得到了長足發(fā)展,逐漸形成了同步輻射光學(xué)獨(dú)特的理論體系與工程實(shí)踐,成為同步輻射應(yīng)用研究的重要內(nèi)容。本論文以作者2009-2011年在我國國家同步輻射實(shí)驗(yàn)室(NSRL)和2011-2014年在法國歐洲同步輻射實(shí)驗(yàn)室(ESRF)的工作為基礎(chǔ),開展光源...
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:117 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1世界t?.主要同步巧射實(shí)驗(yàn)室的分布圖??世界上第一個(gè)H代光源是建于1989年的歐洲同步箱射實(shí)驗(yàn)室(The?European??Snchrotron,原名:The?Euroean?Snchrotron?Radiation?Facilit,簡(jiǎn)稱:ESRF)??
功率作用下,其溫度變化越小。元件材料的熱膨脹系數(shù)a越小,同樣溫度變化下,??元件的熱變形越小。參數(shù)a/k常用來衡量元件村料在熱載作用下的變形特性。如??圖1.6所示為Si的低溫非線性材料屬性巧][9],隨著溫度的降低(400-80?K),其??熱傳導(dǎo)系數(shù)升離,熱膨脹系數(shù)降低,a/k降低。Si是光學(xué)元件最常用的村料之一,??液氣冷卻就是利用Si的低溫非線性材料屬性,用液氮作為冷卻介質(zhì)(液氮溫度???80?K),使光學(xué)元件工作在低溫環(huán)境,使其在熱載作用下的熱變形較小。??NaUnnl?SiIhum??2.5?IT??4??S?^?:?1.?kl|T(、ui,wkiiin]?=??^?1?、?—H:'l*v、|vn〇niu、kfit)?I?壹??二?JE?A?a_iel?[Toult'tnkianJ?3??化???…p<ilvu,、mi.、k?fib?W??0? ̄e—.??u?r,^ ̄ ̄'——!—-T?-I??50?HK)?150?200?250?300?350?400??ETt.…lu.nUure?(K,??圖1.6?Si的低溫化巧性村料屬化熱傳導(dǎo)系巧k和熱巧化系巧a巧溫度的交化??1^5??瞳;?對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行液巧冷卻的設(shè)計(jì)時(shí)
圖1.8不同冷卻結(jié)構(gòu)的元件巧截面溫度分布圖:(a)底面冷卻.(b)側(cè)面冷卻.(c)??側(cè)面部分冷巧.(d)上表面部分冷卻??如圖1.9所示,在元件的側(cè)面對(duì)稱切槽,可改變?cè)臒嶙冃翁匦,減小元??件的面形誤差(圖1.9?(b)),甚至改變其面形誤差的符號(hào)(圍1.9?(C))。具體光??源條件下,利用有限元分析的方法.通過優(yōu)化切槽位置、切糟深度、切槽尺寸等??參數(shù),可W使特定熱載作用下,元件表面的變形最。▓D1.9?(d))。但這種幾何??結(jié)構(gòu)優(yōu)化的方式,一般只適用于光斑長度巧蓋元件表面的情況。??n?J?? ̄^?化心?5??|5?■?T??■■、?l^y:^?Vf?-1?-W?8.15mm.?opt?V?、??I?—Mnotch??n4【?S?????牛令一^??convex??^iralzedy?.tong?the?mirror?x?(mm)??間1.9不同幾何結(jié)構(gòu)的元件橫巧面濕度分布困及對(duì)應(yīng)的表面形狀曲線:(a)無切巧,(b)??較小切巧,(C)較大切植,(d)優(yōu)化切巧??1.2.2多層膜技術(shù)??原理與特點(diǎn)??X射線多層膜元件是在具有一定面型的基底上.間隔巧制兩種材料的膜層,??由折射系數(shù)較大的材料薄層作為散射層
本文編號(hào):3543985
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:117 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1世界t?.主要同步巧射實(shí)驗(yàn)室的分布圖??世界上第一個(gè)H代光源是建于1989年的歐洲同步箱射實(shí)驗(yàn)室(The?European??Snchrotron,原名:The?Euroean?Snchrotron?Radiation?Facilit,簡(jiǎn)稱:ESRF)??
功率作用下,其溫度變化越小。元件材料的熱膨脹系數(shù)a越小,同樣溫度變化下,??元件的熱變形越小。參數(shù)a/k常用來衡量元件村料在熱載作用下的變形特性。如??圖1.6所示為Si的低溫非線性材料屬性巧][9],隨著溫度的降低(400-80?K),其??熱傳導(dǎo)系數(shù)升離,熱膨脹系數(shù)降低,a/k降低。Si是光學(xué)元件最常用的村料之一,??液氣冷卻就是利用Si的低溫非線性材料屬性,用液氮作為冷卻介質(zhì)(液氮溫度???80?K),使光學(xué)元件工作在低溫環(huán)境,使其在熱載作用下的熱變形較小。??NaUnnl?SiIhum??2.5?IT??4??S?^?:?1.?kl|T(、ui,wkiiin]?=??^?1?、?—H:'l*v、|vn〇niu、kfit)?I?壹??二?JE?A?a_iel?[Toult'tnkianJ?3??化???…p<ilvu,、mi.、k?fib?W??0? ̄e—.??u?r,^ ̄ ̄'——!—-T?-I??50?HK)?150?200?250?300?350?400??ETt.…lu.nUure?(K,??圖1.6?Si的低溫化巧性村料屬化熱傳導(dǎo)系巧k和熱巧化系巧a巧溫度的交化??1^5??瞳;?對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行液巧冷卻的設(shè)計(jì)時(shí)
圖1.8不同冷卻結(jié)構(gòu)的元件巧截面溫度分布圖:(a)底面冷卻.(b)側(cè)面冷卻.(c)??側(cè)面部分冷巧.(d)上表面部分冷卻??如圖1.9所示,在元件的側(cè)面對(duì)稱切槽,可改變?cè)臒嶙冃翁匦,減小元??件的面形誤差(圖1.9?(b)),甚至改變其面形誤差的符號(hào)(圍1.9?(C))。具體光??源條件下,利用有限元分析的方法.通過優(yōu)化切槽位置、切糟深度、切槽尺寸等??參數(shù),可W使特定熱載作用下,元件表面的變形最。▓D1.9?(d))。但這種幾何??結(jié)構(gòu)優(yōu)化的方式,一般只適用于光斑長度巧蓋元件表面的情況。??n?J?? ̄^?化心?5??|5?■?T??■■、?l^y:^?Vf?-1?-W?8.15mm.?opt?V?、??I?—Mnotch??n4【?S?????牛令一^??convex??^iralzedy?.tong?the?mirror?x?(mm)??間1.9不同幾何結(jié)構(gòu)的元件橫巧面濕度分布困及對(duì)應(yīng)的表面形狀曲線:(a)無切巧,(b)??較小切巧,(C)較大切植,(d)優(yōu)化切巧??1.2.2多層膜技術(shù)??原理與特點(diǎn)??X射線多層膜元件是在具有一定面型的基底上.間隔巧制兩種材料的膜層,??由折射系數(shù)較大的材料薄層作為散射層
本文編號(hào):3543985
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