激光驅(qū)動的內(nèi)爆靶通過軔致輻射過程可以產(chǎn)生覆蓋1—100 keV能區(qū)的小尺寸、短脈沖和高亮度的光滑連續(xù)譜X光源,可用于高密度等離子體的點(diǎn)投影照相和吸收譜診斷等.本文對30—180 k J輸出能量的神光Ⅲ激光裝置直接驅(qū)動氘氚冷凍靶產(chǎn)生的連續(xù)譜X光源輻射特性進(jìn)行了模擬研究,為優(yōu)化內(nèi)爆光源提供物理基礎(chǔ).采用了美國OMEGA激光裝置和美國國家點(diǎn)火裝置（NIF）使用的定標(biāo)率來給出不同驅(qū)動能量時的靶參數(shù)和激光脈沖參數(shù).研究發(fā)現(xiàn),內(nèi)爆靶丸在停滯階段瞬時的密度和溫度劇增可以產(chǎn)生尺寸約100μm、發(fā)光時間約150 ps的X光脈沖;X光輻射主要產(chǎn)生于被壓縮的氘氚冰殼層內(nèi)側(cè)、而不是中心的高溫氣體熱斑區(qū);等離子體的自吸收可以顯著降低1—3 keV的較低能區(qū)的X光發(fā)射,但對更高能區(qū)沒有影響;X光輻射主要集中在<30 keV的較低能區(qū),氘氚聚變反應(yīng)可以增強(qiáng)>30 keV的硬X光輻射、但對<30 keV的較軟的X光輻射沒有明顯貢獻(xiàn). 

【文章來源】：物理學(xué)報. 2017,66(11)北大核心EISCICSCD

【文章頁數(shù)】：9 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 靶丸設(shè)計與光譜計算模型
3 模擬結(jié)果與內(nèi)爆光源特征分析
    3.1 內(nèi)爆靶的溫度密度分布
    3.2 輻射的時空分布
    3.3 自吸收效應(yīng)的影響
    3.4 DT聚變反應(yīng)的影響
4 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]輻射加熱Al等離子體的吸收譜實(shí)驗[J]. 張繼彥,楊家敏,許琰,楊國洪,顏君,孟廣為,丁耀南,汪艷.  物理學(xué)報. 2008(02)



本文編號：3524414