發(fā)布時間：2021-11-12 02:13

　　盧瑟福背散射分析技術(shù)（Rutherford Backscattering Spectrometry）簡稱RBS是一種無損、快速、直接分析表面雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)深度的重要分析技術(shù)，也是離子束分析中非常重要的分析手段之一。它在離子注入、薄膜技術(shù)及半導(dǎo)體和其他新型材料研究和生產(chǎn)方面都表現(xiàn)出優(yōu)異的特點(diǎn)�，F(xiàn)在有很多蒙特卡羅程序?qū)BS進(jìn)行模擬和研究。蒙特卡羅又稱隨機(jī)抽樣技巧或統(tǒng)計實驗方法，它是以概率統(tǒng)計理論為基礎(chǔ)的一種方法。它能夠較逼真地描述事物的特點(diǎn)及物理實驗過程，解決一些數(shù)值方法難以解決的問題。Geant4是高能物理協(xié)會開發(fā)的模擬粒子輸運(yùn)的蒙特卡羅（Monte Carlo）通用程序包，是在C++基礎(chǔ)上發(fā)展起來，繼承了C++源代碼開放性的特點(diǎn)，方便用戶構(gòu)造不同的物理模型進(jìn)行模擬以解決問題，在本文中應(yīng)用Geant4對⁴He和¹²C的盧瑟福背散射現(xiàn)象進(jìn)行了模擬。本文運(yùn)用Geant4模擬計算：270keV和500keV的⁴He和¹²C離子在不同厚度和材料下的背散射，討論了材料、厚度和入射離子能量對背散射譜的影響。結(jié)論... 

【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：54 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１.39keV質(zhì)子入射到14.3nmAu薄膜中角分布

一定厚度薄膜背散射譜示意圖

16圖 2.5 一定厚度薄膜背散射譜示意圖（2）在樣品非常薄的情況下，其背散射譜的特點(diǎn)如下圖2.6所示：圖 2.6 較薄薄膜背散射譜示意圖E1為離子在表面背散射后的能量，E2、E3、E4是經(jīng)過一定厚度樣品后其背散射能量，離子在樣品中是不斷損失能量的，所以可以知道當(dāng)厚度增加其 E2、E3、E4是逐漸變小，而 E1是不變的它僅與入射離子的能量和靶的材料有關(guān)。（3）樣品僅幾十納米的情況下，考慮到實際實驗的要求，通常在樣品下放置幾個微米厚襯底。在有襯底的情況下其背散射粒子的示意圖如圖2.7所示，如果樣品材料為B其背散射能量為EB，在其下方襯底材料為A其

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]盧瑟福背散射分析[J]. 趙國慶.  理化檢驗(物理分冊). 2002(01)

碩士論文
[1]質(zhì)子打薄靶的角度和能量歧離的蒙特卡羅模擬[D]. 楊海芳.吉林大學(xué) 2011



本文編號：3489993