利用EAST（Experimental Advanced Superconducting Tokamak）上的在線輻射劑量監(jiān)測系統(tǒng),對氘氘等離子體實驗期間各種加熱模式下裝置主機廳內中子、γ劑量進行測量。對比分析了歐姆加熱、低雜波加熱、中性束注入加熱,以及中性束與射頻波協(xié)同加熱實驗時的中子、γ輻射強度隨時間演化的規(guī)律。結果顯示:在純歐姆加熱模式,輻射劑量主要來源于逃逸電子軔致輻射產(chǎn)生的高能γ（X）射線和光中子;低雜波輔助加熱時,通常會出現(xiàn)環(huán)電壓下降的現(xiàn)象,離子溫度和聚變反應率提高有限,而逃逸電子產(chǎn)生的韌致輻射卻被有效抑制,使得總體輻射劑量水平反而低于純歐姆加熱模式;中性束注入加熱時,束靶反應使得中子產(chǎn)額提高2～3個數(shù)量級,聚變中子以及中子與周圍物質核反應產(chǎn)生的γ射線成為輻射劑量的主要來源。通過統(tǒng)計歸納得到在中性束注入加熱時,中子周圍劑量當量與γ周圍劑量當量存在近似的線性關系。該線性關系對于中性束與各種射頻波協(xié)同加熱實驗時,中子、γ射線來源于多種途徑的情形并不完全適用。 

【文章來源】：核技術. 2020,43(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

LHW不同注入時刻對中子和γ劑量當量的影響

圖5統(tǒng)計了2018年EAST裝置夏季實驗中，等離子體電流為450 kA、僅NBI加熱時單炮等離子體放電在2號監(jiān)測點測得的中子、γ劑量當量。通過擬合得到函數(shù)Dg(Dn）關系：Dg=0.146 2×Dn0.92，近似為線性，其中：Dn表示中子劑量當量，Dg表示γ劑量當量。由圖5可知，單炮等離子體放電產(chǎn)生的γ劑量當量隨中子劑量當量的增加近似呈線性增加，表明NBI加熱模式下γ（X）射線主要來源于聚變中子。圖5 NBI加熱時單炮等離子體放電產(chǎn)生的中子劑量當量與γ劑量當量的關系

NBI加熱時單炮等離子體放電產(chǎn)生的中子劑量當量與γ劑量當量的關系

【參考文獻】：
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本文編號：3478087