發(fā)布時(shí)間：2021-09-17 20:50

　　采用500 keV的He離子在750℃下對(duì)GH3535合金樣品進(jìn)行輻照,然后利用掠入射X射線衍射（GIXRD）、透射電子顯微鏡（TEM）和納米壓痕儀分別對(duì)樣品的氦泡和位錯(cuò)環(huán)輻照缺陷的演化及納米硬度的變化進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,GH3535合金晶格輻照后發(fā)生了輕微畸變;離子輻照在樣品中形成了大量尺寸為2～5 nm的氦泡和位錯(cuò)環(huán)。輻照產(chǎn)生的氦泡和位錯(cuò)環(huán)等缺陷在基體中釘扎位錯(cuò),從而使材料產(chǎn)生了輻照硬化現(xiàn)象,樣品硬度隨輻照劑量的增加而增大。當(dāng)輻照劑量達(dá)2×10¹⁶ cm^-2時(shí),輻照樣品發(fā)生了明顯的硬化飽和現(xiàn)象,利用Nix-Gao模型計(jì)算得此時(shí)的硬化程度為64%。 

【文章來源】：原子能科學(xué)技術(shù). 2020,54(04)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【部分圖文】：

未輻照和輻照GH3535合金的GIXRD譜

500 keV He離子輻照在GH3535合金中

未輻照的GH3535合金的TEM明場(chǎng)像與2×1016 cm-2 He離子輻照后峰值損傷處的明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3399475