中性粒子標(biāo)定源中聚焦系統(tǒng)的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-09-07 01:48
設(shè)計(jì)了用于中性粒子標(biāo)定源的聚焦系統(tǒng).利用三維電磁仿真軟件CST對(duì)束流在中性粒子標(biāo)定源中的輸運(yùn)情況進(jìn)行了模擬,研究了單透鏡與加速管之間的距離、聚焦電壓和加速電壓的改變對(duì)束流軌跡的影響.在離子源測(cè)試裝置上利用塑料閃爍體對(duì)束流剖面進(jìn)行了初步測(cè)定,測(cè)試結(jié)果與模擬計(jì)算相符合.文中得到的數(shù)據(jù)對(duì)中性粒子分析器的標(biāo)定具有重要參考價(jià)值.
【文章來(lái)源】:四川大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,57(01)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【部分圖文】:
中性粒子標(biāo)定源框圖
在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,取引出電壓Ui=3 kV,通過(guò)將聚焦電壓U在2.8~3.5 kV范圍內(nèi)調(diào)節(jié)來(lái)觀察束流的聚焦情況,并利用相機(jī)記錄了束斑的形狀. 如圖8所示,圖8(a)~(c)是電壓Ui=3 kV的引出束流分別在2.9、 3.2和3.4 kV聚焦電壓下打到塑料閃爍體上的發(fā)光情況.從圖8中可以看出束流具有明顯的聚焦. 由圖6中的模擬結(jié)果可知,電壓Ui=3 kV的引出束流在2.9、 3.2和3.4 kV的聚焦電壓下分別可以得到R為9.6、 5.2和8.3 mm的束斑.通過(guò)將圖8中的束斑圖像與圖6中的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比,發(fā)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模擬數(shù)據(jù)吻合較好,表明模擬計(jì)算是可靠的.
本文利用CST對(duì)中性粒子標(biāo)定源的聚焦系統(tǒng)進(jìn)行了建模,針對(duì)不同的極板間距、極板電壓進(jìn)行了仿真,通過(guò)分析確定不同參數(shù)的改變對(duì)束流傳輸?shù)挠绊? 圖2是中性粒子標(biāo)定源的仿真模型,A是離子源的引出電極,B是單透鏡的中間聚焦電極,C是加速管電極,D是電四極透鏡電極;其電壓分別為Ui(引出電壓)、U(聚焦電壓)、Uc(加速電壓)和Ud(四極透鏡電壓),d是單透鏡與加速管之間的距離.3.1.1間距d的選取
本文編號(hào):3388610
【文章來(lái)源】:四川大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,57(01)北大核心CSCD
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【部分圖文】:
中性粒子標(biāo)定源框圖
在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,取引出電壓Ui=3 kV,通過(guò)將聚焦電壓U在2.8~3.5 kV范圍內(nèi)調(diào)節(jié)來(lái)觀察束流的聚焦情況,并利用相機(jī)記錄了束斑的形狀. 如圖8所示,圖8(a)~(c)是電壓Ui=3 kV的引出束流分別在2.9、 3.2和3.4 kV聚焦電壓下打到塑料閃爍體上的發(fā)光情況.從圖8中可以看出束流具有明顯的聚焦. 由圖6中的模擬結(jié)果可知,電壓Ui=3 kV的引出束流在2.9、 3.2和3.4 kV的聚焦電壓下分別可以得到R為9.6、 5.2和8.3 mm的束斑.通過(guò)將圖8中的束斑圖像與圖6中的模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比,發(fā)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模擬數(shù)據(jù)吻合較好,表明模擬計(jì)算是可靠的.
本文利用CST對(duì)中性粒子標(biāo)定源的聚焦系統(tǒng)進(jìn)行了建模,針對(duì)不同的極板間距、極板電壓進(jìn)行了仿真,通過(guò)分析確定不同參數(shù)的改變對(duì)束流傳輸?shù)挠绊? 圖2是中性粒子標(biāo)定源的仿真模型,A是離子源的引出電極,B是單透鏡的中間聚焦電極,C是加速管電極,D是電四極透鏡電極;其電壓分別為Ui(引出電壓)、U(聚焦電壓)、Uc(加速電壓)和Ud(四極透鏡電壓),d是單透鏡與加速管之間的距離.3.1.1間距d的選取
本文編號(hào):3388610
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