基于兩體碰撞近似理論,討論了近玻爾速度高電荷態(tài)離子—原子碰撞過程中,庫倫偏轉(zhuǎn)和有效電荷態(tài)修正對內(nèi)殼層電子電離過程的影響。計算了Ar11+碰撞激發(fā)V靶的K殼層X射線的能量閾值,分析了0.5～3 v0能量范圍內(nèi)發(fā)射截面的BEA以及考慮不同修正BEA-Zeff、BEA-CR、BEA-Zeff-CR理論計算結(jié)果。研究表明,有效電荷態(tài)的修正作用大于庫倫偏轉(zhuǎn)的修正;庫倫偏轉(zhuǎn)的修正在低能端更為明顯,隨著能量的增加,修正效果越來越弱。這為實驗截面的測量提供了重要的理論參考。 

【文章來源】：咸陽師范學院學報. 2020,35(06)

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

Ar11+離子轟擊V靶產(chǎn)生V靶K殼層X射線發(fā)射截面的不同修正BEA理論計算

有效碰撞能的修正與初始入射能有關(guān)。入射離子能量越低，入射離子受到靶原子核的庫侖排斥作用就越明顯，速度的減小量越大，有效碰撞能就越小，從而引起截面的減小量就越大，對原始計算值的修正就越明顯。隨著初始動能的增加，受到的靶核的排斥作用就相對的變?nèi)�，有效碰撞能的修正量減小，對應著對截面計算的修正就變?nèi)�。例如，當入射能�?.3 Me V時，BEA-CR的修正計算約為原來的63%，入射能為玻爾速度能量1 Me V時，CR修正量為10%，而當能量增加到10 Me V時，有效碰撞修正幾乎不起作用，其修正量僅為原來的1%。有效電荷態(tài)的修正與入射離子的能量沒有關(guān)系，根據(jù)Slater法則，其只與入射離子的初始電荷態(tài)有關(guān)，電荷態(tài)越高，剩余軌道電子的數(shù)目越少，對原子的屏蔽效應就越弱，屏蔽常數(shù)δ的取值就越小，對應有效電荷態(tài)Zeff的取值就越大。由此可以推斷，入射離子的初始電荷態(tài)越高，有效電荷態(tài)的修正越小。通過改變?nèi)肷潆x子的電荷態(tài)，從X射線截面的測量可以得到X射線輻射的電荷態(tài)效應，特別的是當入射離子K殼層空穴打開時，除了直接的庫侖電離，靶原子內(nèi)殼層的電離，也存在電子俘獲的作用通道，使得相應X射線的輻射出現(xiàn)明顯的增強，這已在實驗上被證實。

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3351125