基于兩體碰撞近似理論,討論了近玻爾速度高電荷態(tài)離子—原子碰撞過(guò)程中,庫(kù)倫偏轉(zhuǎn)和有效電荷態(tài)修正對(duì)內(nèi)殼層電子電離過(guò)程的影響。計(jì)算了Ar11+碰撞激發(fā)V靶的K殼層X(jué)射線的能量閾值,分析了0.5～3 v0能量范圍內(nèi)發(fā)射截面的BEA以及考慮不同修正BEA-Zeff、BEA-CR、BEA-Zeff-CR理論計(jì)算結(jié)果。研究表明,有效電荷態(tài)的修正作用大于庫(kù)倫偏轉(zhuǎn)的修正;庫(kù)倫偏轉(zhuǎn)的修正在低能端更為明顯,隨著能量的增加,修正效果越來(lái)越弱。這為實(shí)驗(yàn)截面的測(cè)量提供了重要的理論參考。 

【文章來(lái)源】：咸陽(yáng)師范學(xué)院學(xué)報(bào). 2020,35(06)

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

Ar11+離子轟擊V靶產(chǎn)生V靶K殼層X(jué)射線發(fā)射截面的不同修正BEA理論計(jì)算

有效碰撞能的修正與初始入射能有關(guān)。入射離子能量越低，入射離子受到靶原子核的庫(kù)侖排斥作用就越明顯，速度的減小量越大，有效碰撞能就越小，從而引起截面的減小量就越大，對(duì)原始計(jì)算值的修正就越明顯。隨著初始動(dòng)能的增加，受到的靶核的排斥作用就相對(duì)的變?nèi)酰行鲎材艿男拚繙p小，對(duì)應(yīng)著對(duì)截面計(jì)算的修正就變?nèi)酢＠�，�?dāng)入射能為0.3 Me V時(shí)，BEA-CR的修正計(jì)算約為原來(lái)的63%，入射能為玻爾速度能量1 Me V時(shí)，CR修正量為10%，而當(dāng)能量增加到10 Me V時(shí)，有效碰撞修正幾乎不起作用，其修正量?jī)H為原來(lái)的1%。有效電荷態(tài)的修正與入射離子的能量沒(méi)有關(guān)系，根據(jù)Slater法則，其只與入射離子的初始電荷態(tài)有關(guān)，電荷態(tài)越高，剩余軌道電子的數(shù)目越少，對(duì)原子的屏蔽效應(yīng)就越弱，屏蔽常數(shù)δ的取值就越小，對(duì)應(yīng)有效電荷態(tài)Zeff的取值就越大。由此可以推斷，入射離子的初始電荷態(tài)越高，有效電荷態(tài)的修正越小。通過(guò)改變?nèi)肷潆x子的電荷態(tài)，從X射線截面的測(cè)量可以得到X射線輻射的電荷態(tài)效應(yīng)，特別的是當(dāng)入射離子K殼層空穴打開(kāi)時(shí)，除了直接的庫(kù)侖電離，靶原子內(nèi)殼層的電離，也存在電子俘獲的作用通道，使得相應(yīng)X射線的輻射出現(xiàn)明顯的增強(qiáng)，這已在實(shí)驗(yàn)上被證實(shí)。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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