該文將新型摻鈰釓稼鋁石榴石（Ce∶GAGG）閃爍晶體與CR-173光電倍增管耦合,并將其和分壓電路、高壓模塊、前放電路一起封裝在鋁合金外殼中,制成新型Ce∶GAGG閃爍探測(cè)器。研究了不同尺寸Ce∶GAGG閃爍晶體、不同耦合方式及反射層封裝材料對(duì)新型Ce∶GAGG閃爍探測(cè)器光產(chǎn)額和能量分辨率的影響,同時(shí)與封裝好的1英寸（1英寸=2.54 cm）摻鉈碘化鈉（NaI（Tl））閃爍晶體進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn),并對(duì)Ce∶GAGG和NaI（Tl）閃爍探測(cè)器的能量線(xiàn)性進(jìn)行測(cè)量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,小體積的Ce∶GAGG閃爍探測(cè)器性能最好;光學(xué)硅脂耦合可提高閃爍探測(cè)器的性能;銀反射膜（ESR膜）材料封裝閃爍探測(cè)器性能最好;Ce∶GAGG閃爍探測(cè)器性能優(yōu)于NaI（Tl）閃爍探測(cè)器。 

【文章來(lái)源】：壓電與聲光. 2020,42(06)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

探測(cè)器結(jié)構(gòu)圖和實(shí)物圖

表1 閃爍晶體性能參數(shù) 閃爍晶體 光產(chǎn)額/MeV 密度/(g·cm-3) 衰減時(shí)間/ns 發(fā)射峰波長(zhǎng)/nm 有效原子序數(shù) 潮解性 是否具有自發(fā)輻射 Ce∶GAGG 54 000 6.63 94 540 54 否 否 NaI(Tl) 38 000 3.67 250 415 50 極易 否 CsI(Tl) 56 000 4.52 1 100 550 54 輕微 否 BGO 8 200 7.13 300 480 74 否 否 LYSO 25 000 7.15 40 420 62 否 是2.2 耦合測(cè)試

3種不同尺寸的Ce∶GAGG閃爍晶體表面不封裝,拋光面與光電倍增管端面直接耦合,測(cè)試得到能譜圖,同時(shí)測(cè)量1英寸NaI(Tl)閃爍晶體與光電倍增管端面直接耦合的能譜圖,得到空氣耦合情況下4種閃爍晶體的能譜對(duì)比如圖3(a)所示。再將4種閃爍晶體與光電倍增管端面通過(guò)光學(xué)硅脂耦合,測(cè)試得到能譜對(duì)比如圖3(b)所示。表2為計(jì)算得到4種閃爍晶體與光電倍增管不同耦合方式下相對(duì)光產(chǎn)額和能量分辨率的對(duì)比。由表2可知,采用硅脂耦合方式相對(duì)光產(chǎn)額和能量分辨率都有較大提高。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3321669