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EAST中n=4共振磁擾動下等離子體的環(huán)向旋轉(zhuǎn)制動

發(fā)布時間:2021-06-08 18:51
  在EAST中n=4的共振磁擾動下觀察到明顯的等離子體旋轉(zhuǎn)制動效應(yīng),其分布具有全局性,且峰值靠近等離子體中心。利用模擬得到的新經(jīng)典環(huán)向粘滯(NTV)力矩來反演等離子體環(huán)向角速度的變化,結(jié)果表明在大部分徑向區(qū)域與實(shí)驗(yàn)測量的速度變化符合得較好,量值上相差約1~2倍。 

【文章來源】:核聚變與等離子體物理. 2020,40(04)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

EAST中n=4共振磁擾動下等離子體的環(huán)向旋轉(zhuǎn)制動


#80654中等離子體主要特征漂移角頻率的對比

徑向分布,等離子體,參數(shù)


制動295利用最近升級的NTVTOK程序[17]進(jìn)行NTV力矩的模擬,并以此來反演出旋轉(zhuǎn)速度的變化分布,然后與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對比,來定量地說明NTV理論在解釋磁制動效應(yīng)中的有效性。2實(shí)驗(yàn)分析EAST中的RMP線圈系統(tǒng)主要用于對ELM進(jìn)行主動控制[18],它可實(shí)現(xiàn)環(huán)向模數(shù)n=1~4的靜態(tài)場和n=1~3的旋轉(zhuǎn)常最近發(fā)現(xiàn)n=4的靜態(tài)場下ELM也能得到很好的緩解,并出現(xiàn)明顯的旋轉(zhuǎn)制動。對該情形下的典型放電(#80654)進(jìn)行分析。該次放電以約2MW的中性束注入(NBI)和1MW的低雜波作為輔助加熱手段,在RMP投入期間加熱功率保持圖1EAST放電#80654主要等離子體參數(shù)的演化a——電子弦平均密度和等離子體儲能;b——各徑向位置處的離子溫度;c——各徑向位置處的環(huán)向角速度(ρ=0.1處的值已乘以一個系數(shù)以便于與接近邊緣的演化來比較);d——RMP電流和等離子體電流。陰影部分表示RMP投入時期。恒定。RMP電流為2.5kA,在4s時打開,6.5s時關(guān)斷,并在此期間電流強(qiáng)度以及上下線圈陣列電流的相位差基本保持恒定。在RMP投入期間以及前后的一段時間內(nèi)等離子體中主要參數(shù)的演化如圖1所示。在此期間等離子體電流從500kA略微下降到470kA,q95值保持在3.7左右,βN≈1.3。從主要的動理學(xué)參數(shù)演化中可知,這一次放電實(shí)驗(yàn)在RMP投入期間,發(fā)生了明顯的等離子體旋轉(zhuǎn)制動,并伴隨有密度排出和儲能改變,以及芯部離子溫度的變化。選取RMP關(guān)斷前后旋轉(zhuǎn)達(dá)到穩(wěn)態(tài)的兩個參考時刻點(diǎn)6.34s和6.89s進(jìn)行分析,等離子體旋轉(zhuǎn)速度和離子溫度以及在這兩個時刻之間的差值徑向分布如圖2所示。結(jié)果顯示,在RMP投入前后,環(huán)向旋轉(zhuǎn)的變化具有全局性,而離子溫度在大部分區(qū)域基本不變,但在等離子體中心附近變化很大。由于等離子體中心區(qū)域環(huán)向旋轉(zhuǎn)的明顯變化可能受?

旋轉(zhuǎn)角,離子,等離子體,差值


296核聚變與等離子體物理第40卷的對比來預(yù)測#80654放電中NTV力矩主要來自哪些共振區(qū)間的貢獻(xiàn),如圖3所示。圖3中各角頻率的物理意義及對應(yīng)的碰撞區(qū)間可參考文獻(xiàn)[20]?梢妼τ陔x子,在芯部靠外的位置(ρ≈0.5~0.8)有ωb≈∣qωE∣,其中ωb為反彈漂移頻率,ωE為電漂移頻率,即存在非常明顯的反彈漂移共振效應(yīng),對NTV力矩可能有較大貢獻(xiàn),與EAST中以往低環(huán)向模數(shù)磁擾動中的結(jié)果類似[15]。另外靠近等離子體邊緣處,出現(xiàn)電漂移頻率ωE比磁漂移頻率ωB0略小的狹窄區(qū)間,即qωE≤ωB0,在這個位置出現(xiàn)共振的超香蕉平臺碰撞區(qū)間,對NTV也會有很大貢獻(xiàn)。因此,可以預(yù)見這一次放電中的NTV力矩主要由離子的反彈漂移共振和環(huán)向進(jìn)動共振所貢獻(xiàn),在相應(yīng)的共振位置NTV會得到增強(qiáng)。圖2#80654中RMP電流關(guān)斷前后6.34s、6.89s的等離子體環(huán)向旋轉(zhuǎn)角速度(a)和離子溫度(b)分布及兩時刻點(diǎn)間的差值分布圖3#80654中等離子體主要特征漂移角頻率的對比利用NTVTOK程序模擬出的NTV力矩密度分布如圖4所示。圖4#80654中的電子NTV力矩(藍(lán)色虛線)和總NTV力矩分布(黑色實(shí)線)可見在n=4的RMP中由離子反彈漂移貢獻(xiàn)的NTV力矩TNTV在芯部靠外的徑向位置附近


本文編號:3219004

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