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基于MCNP的HPGe探測(cè)器無源效率刻度

發(fā)布時(shí)間:2021-04-13 00:44
  本文建立了HPGe探測(cè)器的MCNP模型,模擬了152Eu標(biāo)準(zhǔn)源主要γ射線全能峰的峰效率,與HPGe探測(cè)器的效率刻度實(shí)驗(yàn)進(jìn)行對(duì)比分析,依次調(diào)整探測(cè)器的鍺晶體半徑、死層厚度和空氣間隙,對(duì)HPGe探測(cè)器的模型參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)結(jié)果的對(duì)比分析表明,將探測(cè)器的晶體半徑減少2 mm,探測(cè)器死層厚度增加0.1 mm,探測(cè)器內(nèi)部的空氣間隙增加4 mm后,模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符,且誤差不超過5%。 

【文章來源】:核安全. 2020,19(03)

【文章頁數(shù)】:5 頁

【部分圖文】:

基于MCNP的HPGe探測(cè)器無源效率刻度


HPGe探測(cè)器的MCNP模型

基于MCNP的HPGe探測(cè)器無源效率刻度


HPGe探測(cè)器152Eu源響應(yīng)能譜的MCNP模擬結(jié)果

基于MCNP的HPGe探測(cè)器無源效率刻度


實(shí)驗(yàn)和MCNP模擬的全能峰效率


本文編號(hào):3134291

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