蘭州重離子加速器冷卻儲(chǔ)存環(huán)（HIRFL-CSR）現(xiàn)在已經(jīng)建成，其實(shí)驗(yàn)探測(cè)裝置也在不斷建設(shè)當(dāng)中，主要包含CSR外靶實(shí)驗(yàn)裝置和CSRe上的配套實(shí)驗(yàn)裝置。硅微條陣列探測(cè)器是HIRFL-CSR外靶實(shí)驗(yàn)裝置上的一個(gè)子探測(cè)器，其位于γ球內(nèi)的TPC（時(shí)間投影室）后。硅微條陣列探測(cè)器結(jié)合γ球內(nèi)的CsI探測(cè)器，利用E-E粒子鑒別技術(shù)，可以對(duì)中等質(zhì)量的碎片進(jìn)行鑒別。由于硅微條陣列探測(cè)器的探測(cè)單元密度高而且通道數(shù)大，因此為了對(duì)大量探測(cè)事例進(jìn)行精確測(cè)量，就對(duì)其電子學(xué)系統(tǒng)提出了相應(yīng)的要求：高集成度、多通道、高精度和高速等。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)硅微條陣列探測(cè)器輸出信號(hào)的采集處理，我們?cè)O(shè)計(jì)了相應(yīng)的電子學(xué)系統(tǒng)。本論文將對(duì)CSR外靶硅微條陣列探測(cè)器的電子學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行介紹。該電子學(xué)系統(tǒng)包含12個(gè)單元，共有48塊前端電子學(xué)板、12塊PXI-DAQ數(shù)據(jù)采集板和1塊觸發(fā)板。每個(gè)單元包含4塊前端電子學(xué)板和1塊PXI-DAQ數(shù)據(jù)采集板，而觸發(fā)板由12個(gè)單元共用。每個(gè)單元可以處理來(lái)自兩塊雙面硅微條探測(cè)器的384路信號(hào)，所以整個(gè)電子學(xué)系統(tǒng)可以處理4608路信號(hào)。前端電子學(xué)板是基于先進(jìn)的ASIC芯片設(shè)計(jì)的，單板就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)雙面硅微條探測(cè)器單面輸出的... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所)甘肅省

【文章頁(yè)數(shù)】：104 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

．1HIRFL-CSR系統(tǒng)平面布局圖

圖 1．2 靶區(qū)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖墻探測(cè)器中子墻由 2 層的條形閃爍體（150cm×8cm×8cm）和 型單元（50cm×8cm×7cm）組合而成，每層由 18 個(gè)單度為 84cm，單元層是垂直相交排列的。設(shè)計(jì)參數(shù)如表表 1-1 中子墻設(shè)計(jì)參數(shù)探測(cè)面積 1.5m×1.5m探測(cè)器厚度 1m接收角度(φ 角) ±3.80覆蓋立體角 11~20 mSr角分辨 0.30探測(cè)效率（1GeV 中子） >90%位置分辨 ±8cm能量分辨（<1GeV 中子） 5 %

有以下三種：電荷幅度轉(zhuǎn)換(QAC)、波形采樣(ADC)和電荷 電荷幅度轉(zhuǎn)換物理實(shí)驗(yàn)與粒子物理實(shí)驗(yàn)當(dāng)中，由各種探測(cè)器輸出的電流信要的時(shí)間很短，此時(shí) i(t)可以被認(rèn)為是電流沖擊脈沖。在若收集到的總電荷量為 Q，那么電流沖擊脈沖的表達(dá)如式 2 Qitlim0() 正比于入射粒子在探測(cè)器中沉積的能量 E。現(xiàn)電荷到電壓的轉(zhuǎn)換的方法有三種[18]：電壓靈敏放大、電流放大。其中電壓靈敏放大器和電荷靈敏放大器主要用于能量大器主要用于時(shí)間測(cè)量。．1 電壓靈敏放大

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3119224