聚變中子學(xué)實(shí)驗(yàn)對(duì)于整個(gè)聚變堆的研究都有著重要的作用。包層作為聚變堆的關(guān)鍵部件之一,起著產(chǎn)氚,能量傳輸,屏蔽等作用,開展聚變堆包層中子學(xué)實(shí)驗(yàn)對(duì)于驗(yàn)證包層特有的中子能譜、核數(shù)據(jù)庫(kù)、產(chǎn)氚性能等參數(shù)有著重要的意義。本論文針對(duì)中科院等離子體所為中國(guó)聚變工程實(shí)驗(yàn)堆（CFETR）設(shè)計(jì)的水冷陶瓷增殖劑包層基本方案,開展了水冷陶瓷增殖劑包層中子學(xué)積分實(shí)驗(yàn)?zāi)K設(shè)計(jì)研究。通過確定實(shí)驗(yàn)?zāi)K的尺寸、選定實(shí)驗(yàn)?zāi)K的基本結(jié)構(gòu)組成以及選擇實(shí)驗(yàn)?zāi)K的材料等步驟完成了水冷包層實(shí)驗(yàn)?zāi)K初步方案。這個(gè)方案的實(shí)驗(yàn)?zāi)K的尺寸是50cm（X）×59.1cm （Y）×50cm（Z）,為保持中子學(xué)實(shí)驗(yàn)?zāi)K具有CFETR水冷包層的特征,在設(shè)計(jì)的方案中保持中子學(xué)實(shí)驗(yàn)?zāi)K徑向布置與CFETR水冷包層基本—致。整個(gè)實(shí)驗(yàn)?zāi)K由3個(gè)氚增殖區(qū),2個(gè)中子倍增區(qū),3個(gè)冷卻板以及第一壁,鎢保護(hù)層,背板組成,并在設(shè)計(jì)方案的實(shí)驗(yàn)?zāi)K中布置碳酸鋰探測(cè)器進(jìn)行氚測(cè)量。在初步方案的基礎(chǔ)上,進(jìn)行中子學(xué)分析,獲得了實(shí)驗(yàn)?zāi)K各區(qū)域的中子能譜以及氚產(chǎn)生率（TPR）值；各個(gè)區(qū)域中子通量以及中子能譜分布情況揭示了實(shí)驗(yàn)?zāi)K的邊緣效應(yīng)以及中間區(qū)域能譜最能代表原包層的中子能譜。然后在... 

【文章來源】：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．２?Ｈ本水冷測(cè)試包層模塊結(jié)構(gòu)圖??＾—ｒ－??

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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3104185