隨著科技水平的提高，中子探測(cè)在國(guó)防安全、醫(yī)療成像、航天航空等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用[1]。3He與熱中子的反應(yīng)截面大，是良好的熱中子吸收材料，廣泛地應(yīng)用于熱中子探測(cè)領(lǐng)域。近年來嚴(yán)重的供不應(yīng)求導(dǎo)致了3He氣體的價(jià)格不斷攀升[2]，使得尋找替代3He正比計(jì)數(shù)器的新型中子探測(cè)器成為研究熱點(diǎn)。涂硼稻草管中子探測(cè)器受到極大關(guān)注。涂硼稻草管是一種在薄壁稻草管基材內(nèi)壁覆含有與熱中子反應(yīng)截面高的碳化硼（B4C）材料的圓柱形正比計(jì)數(shù)器。本課題主要針對(duì)以Al為基材，B4C為中子吸收體，直徑為4mm，長(zhǎng)1m的涂硼稻草管中子探測(cè)器的若干物理問題開展研究：著重關(guān)心熱中子探測(cè)效率、位置分辨率兩個(gè)技術(shù)指標(biāo)。采用MCNP軟件與matlab建模，計(jì)算了不同技術(shù)參數(shù)對(duì)單管涂硼稻草管探測(cè)器與多排涂硼稻草管陣列探測(cè)器的探測(cè)效率的影響。主要影響因素是：碳化硼（B4C）厚度和硼-10（10B）豐度。對(duì)單管探測(cè)器，模擬結(jié)果表明天然豐度碳化硼（natB4C）與90%富集碳化硼（enrichedB4C）, B4C厚度分別為4.0μ m和4.3μ m時(shí)探測(cè)效率達(dá)到最大，分別為2.997%和11.303%。對(duì)于多排陣列探測(cè)器模塊，... 

【文章來源】：清華大學(xué)北京市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：99 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

990年-2010年間3He的供給需求走勢(shì)圖

圖 1.2 2009 年-2018 年計(jì)劃3He 的需求[7]注：數(shù)據(jù)來源于美國(guó)科技政策辦公室的 Steve Fetter 在 2010 年 4 月 6 日關(guān)于3He 的美國(guó)科學(xué)促進(jìn)協(xié)會(huì)研討會(huì)上的報(bào)告USG: 美國(guó)政府。指包括研究活動(dòng)和大型實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的科研需要。3

圖 1.3 涂硼稻草管結(jié)構(gòu)示意圖中子與伽馬具有良好的甄別能力。美國(guó)正比技術(shù)公司對(duì)于一 4mm 的稻草管，涂 1μmnatB4C，工作氣體為 98%Ar 和 2%C2測(cè)得氣體增益大約為 100[17]，對(duì) 511keV 的光子能量沉積幾乎

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]電子束蒸發(fā)技術(shù)[J]. 程開富,劉心蓮.  電子工業(yè)專用設(shè)備. 1991(01)



本文編號(hào)：2989174