基于CLYC的中子-γ復(fù)合探測(cè)電子學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
【學(xué)位單位】:成都理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2017
【中圖分類】:O571.5
【部分圖文】:
CLYC晶體實(shí)物圖
圖 2-2 CLYC 閃爍體晶體結(jié)構(gòu)示意圖部分物理化學(xué)和性能參數(shù)如表 2-4 所示表 2-4 CLYC 閃爍體部分物化性能參數(shù)Cs2LiYCl6:Ce (CLYC)640°C
2-3 CLYC 閃爍體對(duì)不同能量的 γ 射線的線性響,CLYC閃爍體的光產(chǎn)額很高,可達(dá)73,000 p當(dāng)晶體中6Li 的同位素豐度達(dá) 95%時(shí),其對(duì) 倍,CLYC 晶體與中子相互作用時(shí)衰減時(shí) 0.66(Bessiere, et al. 2005;楊帆 等,2009實(shí)現(xiàn)中子-γ 的區(qū)分。中有兩種重要的同位素,即6Li 和35Cl。6Li 對(duì)時(shí),發(fā)生以下反應(yīng):+6Li → α(2.05Mev) +3T(2.73 Mev) σ0=940截面積較大,適合對(duì)熱中子的探測(cè),反應(yīng)能由于 CLYC 晶體對(duì)中子和 γ 射線的發(fā)光效率刻度以后,實(shí)際上全能峰的位置在 3.24Me 2-4 所示(Machrafi, et al. 2014)。
【參考文獻(xiàn)】
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