基于碲鋅鎘探測(cè)器的信號(hào)采集電路的研究與設(shè)計(jì)
【學(xué)位授予單位】:貴州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:TL81
【圖文】:
圖 1.1 像素 CZT 探測(cè)器幾何形狀示意圖器基本結(jié)構(gòu)其制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單。但是其目前所具有的能量拖實(shí)際應(yīng)用的青睞的主要原因。同樣,具有較差的能譜性能也是星舞臺(tái)的攔路虎。圖 1.2.1 像素陣列探測(cè)器,將晶體陰極表面切陽(yáng)極采用一個(gè)整體電極平面。因?yàn)槊恳粋(gè)像素都具有獨(dú)立的且用于信號(hào)采集與處理的,從而可以得到噪聲性能就好可以滿足號(hào)。從而滿足實(shí)際需求對(duì)高分辨率,高探測(cè)器效率等高性能的素陣列探測(cè)器的研究已經(jīng)涉及多領(lǐng)域應(yīng)用,如:高能核輻射成核醫(yī)學(xué)正電子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層成像[31]、單光子計(jì)算機(jī)斷層診斷驗(yàn)中硬 X 射線區(qū)域的能譜診斷等。自 2007 年以來(lái),各國(guó)對(duì) C逐漸傾向于電極采集,算法處理,以及對(duì)比相關(guān)信號(hào),進(jìn)而研核輻射探測(cè)器。
貴州大學(xué)碩士學(xué)位論文第二章 CZT 探測(cè)器原理及電學(xué)等效電路測(cè)器原理線照射入粒子探測(cè)器,在偏置電壓相互作用下,晶體會(huì)通過(guò)吸收射線的部分內(nèi)部產(chǎn)生與射線成比例[14]的載流子對(duì),其會(huì)向相對(duì)應(yīng)電極上漂移。從而形端采集電路采集過(guò)后,并輸出,其輸出幅度與入射射線能量成正比的電壓
id 漏電流:偏置電壓與 CZT 晶體等效電阻的比值。一般,探測(cè)器的輸出阻抗較大,其比與之相連的后續(xù)電路的輸入阻抗還要大很以將之看成一個(gè)電流源;所以可以將電流信號(hào)進(jìn)行積分得到輸出的電荷量;所之等效為電流源。3 探測(cè)器信號(hào)采集電路系統(tǒng)經(jīng)上述兩節(jié)分析得知,碲鋅鎘探測(cè)器的輸出信號(hào)十分微弱,并且其信噪比較差是電流脈沖,不便于后續(xù)信號(hào)處理,故采用的采集方案需要滿足 1/將探測(cè)器輸電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為便于檢測(cè)的信號(hào)形式;2/需要克服探測(cè)器的漏電流以及探測(cè)器布電容對(duì)電路的影響;3/需要給核心功能模塊提供一個(gè)穩(wěn)定的工作電壓。如圖:在本文中采用了補(bǔ)償電流源提供一個(gè)補(bǔ)償電流經(jīng)補(bǔ)償探測(cè)器的漏電流,并且將輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)成形電路整形處理;同時(shí)設(shè)計(jì)了一款 1.25V 的基準(zhǔn)電壓源和輸出 3穩(wěn)壓電路,使功能電路工作在穩(wěn)定的 3V 電壓下。
【相似文獻(xiàn)】
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