為了解高密度電法探測目標(biāo)體的影響因素,通過3種類型高密度電法裝置對于模擬巷道已知目標(biāo)體進(jìn)行探測實(shí)驗(yàn),采集并整理9組數(shù)據(jù),用Res2dinv軟件處理數(shù)據(jù)輸出反演圖,并對9組數(shù)據(jù)對比分析得出:當(dāng)測線橫跨目標(biāo)體長度約8 m時,電極距為1.5 m,較其他距離探測效果更明顯,溫納裝置探測效果較偶極裝置、施倫貝爾裝置反應(yīng)明顯。 

【文章來源】：河南工程學(xué)院學(xué)報(自然科學(xué)版). 2020,32(03)

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

測線布設(shè)相對位置的俯視圖和側(cè)視圖

對模擬實(shí)驗(yàn)所得實(shí)測數(shù)據(jù)使用高密度電法反演軟件Res2dinv進(jìn)行反演。根據(jù)模擬巷道的高阻和巷道周圍地下水所顯示的低阻反應(yīng)來分析其探測效果,結(jié)果如圖2至圖4所示。由圖2(a)可知:探測深度達(dá)到6.75 m,在橫坐標(biāo)13～22 m處,有明顯高阻體(A所在位置),其深度約為1 m,探測結(jié)果的位置和形狀與已知目標(biāo)體存在一定差異。隨著深度的增加,出現(xiàn)低阻體(B所在位置),而且地層的成層性較好,基本能反映地層的分布狀況。由圖2(b)可知:探測深度為5.39 m,自橫坐標(biāo)9 m處(A所在位置)開始出現(xiàn)明顯的高阻反應(yīng),在大約15 m處出現(xiàn)低阻反應(yīng)。隨著深度增至約1.5 m,電阻明顯增高,但是根據(jù)縱坐標(biāo)可以看出,低阻反應(yīng)深度與已知巷道高度不符。相較圖2(a),最大的不同為高阻下方和低阻上方的地層層狀分布情況,圖2(b)的成層性不明顯。由圖2(c)可知:探測深度為4.80 m,根據(jù)反演圖圈定的高阻響應(yīng)區(qū)域推斷為實(shí)際巷道位置(A所在位置),隨著深度的增加,出現(xiàn)低阻體。高阻下方和低阻上方的地層形狀近似于向下的半圓形,與實(shí)際的地層分布明顯不符。

由圖2(a)可知:探測深度達(dá)到6.75 m,在橫坐標(biāo)13～22 m處,有明顯高阻體(A所在位置),其深度約為1 m,探測結(jié)果的位置和形狀與已知目標(biāo)體存在一定差異。隨著深度的增加,出現(xiàn)低阻體(B所在位置),而且地層的成層性較好,基本能反映地層的分布狀況。由圖2(b)可知:探測深度為5.39 m,自橫坐標(biāo)9 m處(A所在位置)開始出現(xiàn)明顯的高阻反應(yīng),在大約15 m處出現(xiàn)低阻反應(yīng)。隨著深度增至約1.5 m,電阻明顯增高,但是根據(jù)縱坐標(biāo)可以看出,低阻反應(yīng)深度與已知巷道高度不符。相較圖2(a),最大的不同為高阻下方和低阻上方的地層層狀分布情況,圖2(b)的成層性不明顯。由圖2(c)可知:探測深度為4.80 m,根據(jù)反演圖圈定的高阻響應(yīng)區(qū)域推斷為實(shí)際巷道位置(A所在位置),隨著深度的增加,出現(xiàn)低阻體。高阻下方和低阻上方的地層形狀近似于向下的半圓形,與實(shí)際的地層分布明顯不符。圖4 極距為2 m時各裝置反演圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]高密度電法儀器測控系統(tǒng)設(shè)計[D]. 梁冰.吉林大學(xué) 2010



本文編號：3281630