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81. GaAs MESFET和HEMT器件的HPM電熱損傷效應(yīng)研究
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82. 高應(yīng)力下AlGaN/GaN HEMT器件特性與失效機(jī)理研究
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83. AlGaN/GaN HEMT器件柵漏區(qū)域電學(xué)性能的研究
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84. 具有電場調(diào)制的新型AlGaN/GaN HEMT場分布模型研究
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85. GaN HEMT大信號模型與高功率放大器驗(yàn)證
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86. 表面處理對AlGaN/GaN HEMT器件電學(xué)性能的影響
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87. GaN HEMT器件結(jié)溫在線測量方法的研究與應(yīng)用
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88. Ⅲ族氮化物增強(qiáng)型HEMT與TFET器件研究
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89. AlGaN/GaN MIS-HEMT大信號PSPICE模型
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90. AlGaN/GaN HEMT熱存儲和電熱耦合可靠性研究
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