伴隨著人工智能和現(xiàn)代工業(yè)的飛速崛起,半導(dǎo)體行業(yè)得以長足發(fā)展。根據(jù)摩爾定律及行業(yè)趨勢,功率半導(dǎo)體分立器件及集成模塊向著小尺寸、高集成和強耐壓的方向不斷發(fā)展,單位面積內(nèi)器件承受更大功耗和溫升,以GaN、SiC材料為代表的第三代半導(dǎo)體材料受到了越來越廣泛地關(guān)注。相比于第一、二代半導(dǎo)體材料,GaN材料具有更寬的禁帶寬度,相應(yīng)的本征激發(fā)溫度更高,在抵抗高溫和高壓方面擁有天然的優(yōu)勢,GaN基HEMT器件在射頻、抗高溫及耐高壓等方面的出色特性保證了其廣闊的發(fā)展前景。然而,在高頻開關(guān)過程中引入的動態(tài)功率損耗和大電流、強電壓條件下的大功率工況引發(fā)HEMT器件內(nèi)部結(jié)溫上升,導(dǎo)致電學性能退化和熱失效率增加等問題,制約了器件的長期使用可靠性。溫度是衡量器件使用可靠性的重要指標,實時監(jiān)控器件結(jié)溫變化情況能夠為工程技術(shù)人員提供客觀判據(jù),并可以預(yù)防由于結(jié)溫過高導(dǎo)致的燒毀問題,對保護器件和電路的長期可靠工作具有重要的幫助。對此,本文從以下幾個方面進行了相關(guān)研究工作:一、以電學測溫方法為基礎(chǔ),根據(jù)HEMT器件柵極反偏漏電流的溫度特性,提出一種以柵極反偏漏電流為溫敏參數(shù)的結(jié)溫測試方法。文章對反偏電流的組分進行了理論分析,... 

【文章來源】：北京工業(yè)大學北京市 211工程院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

HEMT器件及其匹配電路

北京工業(yè)大學工程碩士專業(yè)學位論文溫敏特性的研究對 HEMT 器件肖特基柵極結(jié)構(gòu)的電流組成現(xiàn)柵源反偏電流的不同組份都與溫度存在單以成為溫敏參數(shù)的基礎(chǔ)。利用 Agilent 半導(dǎo)H40010 的 HEMT 器件進行柵源電流信號測為 0V，在不同溫度環(huán)境條件下進行反復(fù)測如下圖所示：

恒溫測試環(huán)境——溫箱Fig3-2Constanttemperaturetestenvironment--thermostat

【參考文獻】：
期刊論文
[1]距離對紅外熱像儀測溫精度的影響及誤差修正[J]. 張勇,王新賽,賀明.  紅外. 2011(02)
[2]紅外熱像儀測溫技術(shù)發(fā)展綜述[J]. 孫曉剛,李云紅.  激光與紅外. 2008(02)
[3]調(diào)制摻雜對AlGaN/GaN HEMT材料電學性能的影響[J]. 許敏,袁鳳坡,陳國鷹,李冬梅,尹甲運,馮志宏.  半導(dǎo)體技術(shù). 2007(03)



本文編號：3470842