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ls pi si
871. 功率器件用n/p型4H-
SiC
同時形成歐姆接觸工藝
872.
SiC
nw /Al復(fù)合材料中層錯形成機理及其與位錯交互作用研究
873. 含炭黑Al 2 O 3 -
SiC
-C澆注料基質(zhì)流變特性研究
874. 含炭黑Al 2 O 3 -
SiC
-C澆注料基質(zhì)流變特性研究
875. 基于100mm國產(chǎn)
SiC
襯底高性能AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料
876. 基于
SiC
器件的雙向諧振型DC/DC變換器的研究與開發(fā)
877.
SiC
涂層制備工藝對C/C復(fù)合材料微觀結(jié)構(gòu)及性能的影響
878. 抑制4H-
SiC
功率器件雙極型退化的復(fù)合提高層設(shè)計
879. ZrB 2 -
SiC
-Graphene仿生復(fù)合微結(jié)構(gòu)構(gòu)建及增韌機制研究
880. Ti 3
SiC
2 /Cu復(fù)合材料的制備及真空觸頭應(yīng)用基礎(chǔ)研究
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