<正>南京電子器件研究所提出了一種"AlN表面原位圖形化"技術(shù),將AlN成核島臺(tái)階化（圖1）,改善GaN緩沖層的外延生長(zhǎng)模式,抑制GaN/AlN界面位錯(cuò)的生成以及縱向延伸,從而降低GaN緩沖層的穿透位錯(cuò)密度。另外,原位制備工藝容易實(shí)現(xiàn),避免雜質(zhì)引入,降低外延成本。采用該技術(shù)在100 mm國(guó)產(chǎn)高純半絕緣SiC襯底上制備出1.8 um厚高質(zhì)量GaN HEMT外延材料,GaN緩沖層（002）和（102）面搖擺曲線半高寬分別達(dá)到56、147 arcsec（圖2）,與常規(guī)工藝相比位錯(cuò)密度降低80%,二維電子氣室溫遷移率達(dá)到2 300 cm²/（V·s）,材料結(jié)晶質(zhì)量和電學(xué)特性獲得顯著提升。 

【文章來(lái)源】：固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2020,40(01)北大核心

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