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651.
Si
C
功率二極管的結(jié)構(gòu)與電特性分析研究
652. 大口徑
Si
C
非球面范成精密磨削方法及其工藝
653. 環(huán)境對(duì)大口徑
Si
C
輕量化主鏡視寧度的影響
654.
Si
C
肖特基二極管的產(chǎn)業(yè)、技術(shù)現(xiàn)狀與發(fā)展前景
655. 6H-
Si
C
單晶的激光刻蝕及光譜分析(英文)
656. 光電化學(xué)刻蝕方法去除
Si
C
襯底外延石墨烯緩沖層及其表征
657. 基于
Si
C
功率器件的光伏系統(tǒng)D
C
-D
C
設(shè)計(jì)
658.
Si
C
基VDMOS器件UIS應(yīng)力退化機(jī)理及壽命模型研究
659. 溫度對(duì)TiAl合金及
Si
C
配副摩擦磨損性能的影響
660. 強(qiáng)激光照射對(duì)6H-
Si
C
晶體電子特性的影響
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