本文關鍵詞：強激光照射對6H-SiC晶體電子特性的影響

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【摘要】：使用基于密度泛函微擾理論的第一性原理贗勢法,模擬研究了纖鋅礦6H-SiC晶體在強激光照射下電子特性的變化.研究結(jié)果表明,電子溫度T_e在升高到3.89 eV及以上后,6H-SiC由間接帶隙的晶體變?yōu)橹苯訋兜木w;帶隙值隨電子溫度T_e升高先是增大后又快速減小,當電子溫度T_e大于4.25 eV以后,帶隙已經(jīng)消失而呈現(xiàn)出金屬特性.
【作者單位】： 四川民族學院數(shù)學系;四川大學原子與分子物理研究所;
【關鍵詞】： H-SiC 電子特性 激光照射 密度泛函微擾理論
【基金】：國家科技部支撐計劃(批準號:2014GB111001,2014GB125000) 四川省教育廳自然科學項目(批準號:16ZA0363)資助的課題~~
【分類號】：O73
【正文快照】： 化.Shen等[12,13]基于密度泛函理論,模擬研究了1引言Al2Au,Cu和Ag在強激光輻射下的電子特性、晶格穩(wěn)定性和熱容量等物理特性的變化.Van Vechten等[1]用強激光輻射金剛石結(jié)構(gòu)的激光誘導半導體超快速物理變化不同于傳統(tǒng)半導體物質(zhì)時觀察到晶體結(jié)構(gòu)變得不穩(wěn)定,分析認的熱過渡物理

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本文編號：919717