本文關(guān)鍵詞：6H-SiC單晶的激光刻蝕及光譜分析（英文）

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【摘要】：激光微加工是半導(dǎo)體精密加工的一個有效方法。對于碳化硅(SiC)單晶,使用紫外波段激光可以獲得對入射能量最大的吸收效率。使用355nm全固態(tài)激光器對6H-SiC單晶進(jìn)行刻蝕。同時將樣品置于不同的介質(zhì)下以探究最優(yōu)加工條件。使用拉曼光譜表征激光刻蝕后的SiC表面。刻蝕后表面主要由無定形硅及納米晶石墨組成,對于空氣下刻蝕的SiC晶片,無定形硅主要分布于刻蝕坑的周圍,刻蝕坑內(nèi)較少。而在液體下刻蝕的樣品,無定形硅的空間分布相反。通過分析殘留在表面的物質(zhì),在另一角度研究了激光刻蝕的反應(yīng)機理。對于液體輔助的激光加工,以往的研究主要關(guān)注液層的厚度及粘度,對液體還原性的研究很少。為確定液體還原性的影響,使用共聚焦激光掃描顯微鏡及能量色散譜檢測了不同液體輔助加工樣品的表面形貌及氧含量。結(jié)果表明,液體還原性在激光刻蝕過程中有著較大的影響,使用有著還原性的液體作為介質(zhì)可以有效減少表面氧化并獲得更規(guī)則的表面形貌。
【作者單位】： 山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 碳化硅 激光刻蝕 拉曼光譜 能量色散譜
【基金】：National Basic Research Program of China under Grant(2011CB301904) Natural Science Foundation of China under Grant(11134006and 51321091)
【分類號】：TN305.7;O657.37
【正文快照】： Introduction　　Silicon　carbide(SiC)single　crystal　has　received　increas-ing　attention　in　the　industry　of　microelectronics　and　microelec-tromechanical　systems(MEMS).Its　exceptional　properties,such　as　wide　band-gap,high　breakdown　thres

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