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602. 基于In
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/
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609. 氮化鎵(
GaN
)表面微納米結(jié)構(gòu)在界面改性和光電探測領(lǐng)域中的應(yīng)用
610. 極性可控的
GaN
與ZnO薄膜的MOCVD外延生長及其組合發(fā)光器件研究
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