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351. GaN功率開關(guān)器件驅(qū)動技術(shù)的研究與發(fā)展
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352. GaN基微波功率器件與耐壓新結(jié)構(gòu)研究
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353. GaN基薄膜陽極刻蝕及相關(guān)性質(zhì)的研究
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354. 溶膠—凝膠法制備低維GaN納米材料
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355. GaN納米線的PECVD制備及其性能研究
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356. Si基GaN超勢壘功率二極管
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357. GaN基高壓功率MOSFET REBULF新結(jié)構(gòu)
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358. 藍光GaN基LD的可靠性研究
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359. 硅基GaN垂直結(jié)構(gòu)功率二極管的研究
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360. 基于GAN的活動識別遷移學(xué)習(xí)方法研究
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