GaN功率開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)的研究與發(fā)展
[Abstract]:The traditional power devices based on Si materials have gradually approached its theoretical limit, and it is difficult to meet the development needs of high-frequency and high-power density of power electronics technology. Compared with traditional Si devices, gallium nitride (GaN) devices exhibit their advantages in on-resistance and gate charge, enabling power converters to achieve smaller volumes, higher frequencies and higher efficiency, thus enabling them to communicate in cars and in communication. Industry and other fields have a broad application prospects. However, the lack of high speed GaN gate drive is one of the main reasons why GaN power converters are not popularized. Various problems in the design of the drive circuit of enhanced GaN power device, such as efficiency, loss, delay time, gate oscillation, bootstrap voltage rise, anti-voltage variation rate interference, dead-time, reverse conduction loss and parasitic effect, are studied in detail. The corresponding solutions to the above problems and their advantages and disadvantages are summarized. Finally, the future development trend of GaN gate drive is discussed.
【作者單位】: 中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院;
【基金】:國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(2016YF0400200)~~
【分類號(hào)】:TN303
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,本文編號(hào):2390509
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