【目的】本文探究了噴施Si對Cd脅迫下番茄葉片光系統(tǒng)II電子傳遞的影響,為低Si吸收作物番茄栽培過程中硅肥的合理施用、防治鎘污染提供理論依據�！痉椒ā恳�"耐裂王"番茄為材料,利用盆栽法模擬不同Cd含量的土壤,噴施不同濃度的Si溶液,采用Dual-PAM-100雙通道熒光測定儀分析測定PSⅡ快速葉綠素熒光誘導動力學特性。【結果】鎘脅迫可導致快速葉綠素熒光誘導動力學曲線改變,最小熒光值（F_o）和K相相對可變熒光（V_k）顯著增加。噴施Si可以降低Cd脅迫下番茄葉片的F_o和V_k。鎘脅迫引起單位反應中心吸收的光能（ABS/RC）、捕獲的光能（TRo/RC）和熱耗散的能量（DIo/RC）增加,而降低單位反應中心傳遞的能量（ETo/RC）、PSⅡ最大電子傳遞速率(ETR_max)和光合性能(PI_abs),導致番茄葉片光合機構完整性被破壞,單位PSⅡ反應中心數量發(fā)生變化,PSⅡ供、受體側受到毒害,抑制光合電子傳遞。噴施Si可以降低Cd脅迫下番茄葉片ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC,提高ETo/RC、PSⅡ...

【文章頁數】：8 頁

【部分圖文】：

圖1 外源Si對不同鎘濃度土壤栽培番茄葉片快速葉綠素熒光誘導動力學曲線的影響

表1試驗設置Table1Treatments土壤鎘處理Treatmentsofcadmium鎘含量(mg/kg)Cadmiumcontent噴施Si處理TreatmentsofsiliconSi濃度(mmol/L)Siliconcontent處理編號T....

圖2 外源Si對不同鎘含量土壤栽培番茄幼苗葉片相對可變熒光 ΔVt的影響

K點的出現(xiàn)和K相相對可變熒光(Vk)可以作為放氧復合體(OEC)遭受破壞和PSⅡ供體側的受損程度的標記[21-22]。如圖2相對可變熒光ΔVt的分析結果可知,不同濃度的Cd栽培番茄葉片在0.3ms特征位點處出現(xiàn)K相,ΔK>0,此外ΔJ和ΔI均>0,這與高溫脅迫下番茄葉片響應一樣....

圖3 外源Si對不同鎘濃度土壤栽培番茄葉片初始熒光和最大熒光的影響

圖2外源Si對不同鎘含量土壤栽培番茄幼苗葉片相對可變熒光ΔVt的影響由圖3可以看出,H處理,噴施不同濃度Si以后,葉片F(xiàn)o顯著低于未噴施的H處理,噴施高濃度Si和中等濃度Si以后,Fo顯著低于CK和HL處理,但相互無顯著差異。L處理,噴施不同濃度Si以后,葉片F(xiàn)o均顯著低于C....

圖4 外源Si對不同鎘濃度土壤栽培番茄幼苗葉片PSⅡ受體側參數的影響

由圖3可以看出,H處理,噴施不同濃度Si以后,葉片F(xiàn)o顯著低于未噴施的H處理,噴施高濃度Si和中等濃度Si以后,Fo顯著低于CK和HL處理,但相互無顯著差異。L處理,噴施不同濃度Si以后,葉片F(xiàn)o均顯著低于CK,除LL處理顯著低于L處理外,LH和LM處理與未噴施Si的L處理無顯著....

本文編號：4035525