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外源硅對自毒作用下黃瓜幼苗生長及光合特性的影響

發(fā)布時間:2024-03-05 02:33
  以‘綠博6號’黃瓜幼苗為試材,采用營養(yǎng)液培法研究不同濃度外源硅(0、0.5、1.0、1.5和2.0 mmol/L)對肉桂酸(cinnamic acid,CA)模擬自毒脅迫(3.0 mmol/L CA)下黃瓜幼苗生長、光合參數(shù)和葉綠素?zé)晒鈪?shù)的影響。結(jié)果表明:(1)自毒脅迫顯著抑制了黃瓜幼苗的生長、根系形態(tài)建成和生物量的積累,顯著降低了凈光合速率(Pn)、蒸騰速率(Tr)、氣孔導(dǎo)度(Gs)和葉綠素(Chl a、Chl b和Chl t)含量,并顯著降低了葉片中PSⅡ的電子傳遞速率(ETR)、PSⅡ?qū)嶋H光化學(xué)效率[Y((Ⅱ))]和光化學(xué)淬滅系數(shù)(qP)。(2)添加適宜濃度外源硅可有效緩解自毒脅迫對黃瓜幼苗生長的影響,并提高其Pn、Gs、Tr和葉綠素含量,在一定程度上維持葉片光合系統(tǒng)的穩(wěn)定。(3)添加適宜濃度外源硅能使自毒脅迫下黃瓜葉片的Fv/Fm、ETR、Y((Ⅱ))和qP顯...

【文章頁數(shù)】:10 頁

【部分圖文】:

圖2不同濃度外源Si對CA脅迫下黃瓜幼苗根系形態(tài)建成的影響

圖2不同濃度外源Si對CA脅迫下黃瓜幼苗根系形態(tài)建成的影響

表1不同濃度外源Si對CA脅迫下黃瓜幼苗生物量的影響Table1EffectofdifferentconcentrationsofexogenousSionbiomassofcucumberseedlingsunderCAstress處理Tre....


圖3不同濃度外源Si對CA脅迫下黃瓜幼苗葉綠素?zé)晒獬上竦挠绊? src=

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表5不同濃度外源Si對CA脅迫下黃瓜幼苗葉片熒光參數(shù)的影響Table5EffectofdifferentconcentrationsofexogenousSionfluorescenceparametersinleavesofcucumbers....


圖1不同濃度外源Si對CA脅迫下黃瓜幼苗株高和莖粗的影響

圖1不同濃度外源Si對CA脅迫下黃瓜幼苗株高和莖粗的影響

由圖1可知,CA處理下,隨著Si濃度的增加,黃瓜幼苗株高和莖粗呈先上升后下降的趨勢。與CK相比,B和C處理黃瓜的株高無顯著差異;與CA處理相比,B和C處理黃瓜幼苗的株高分別顯著增加了37.14%和31.43%;A和D處理幼苗株高顯著低于CK,但與CA處理相比差異不顯著。與CK處理....



本文編號:3919536

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