高溫聲表面波器件電極的制備與研究
發(fā)布時間：2020-12-07 12:30
聲表面波（SAW）傳感器因其無線無源等特點而被廣泛地應(yīng)用在某些惡劣的密閉環(huán)境中。但是,在航空航天等特種領(lǐng)域中,相關(guān)SAW傳感器往往需要工作在特別高的溫度下,這也就對SAW傳感器在高溫下的穩(wěn)定性提出了要求。目前為止,成熟的SAW傳感器一般能夠承受500℃600℃的高溫環(huán)境,還遠(yuǎn)遠(yuǎn)未能達(dá)到要求。本文采用脈沖激光沉積（PLD）與激光分子束外延（LMBE）技術(shù)在硅酸鎵鑭（LGS）壓電襯底上沉積了基于Pt的多種復(fù)合電極薄膜。通過測試不同電極薄膜的導(dǎo)電性隨高溫處理的變化關(guān)系以及高溫處理前后電極的微觀結(jié)構(gòu)變化,分析了其高溫下電阻變化的機(jī)制,并最終得出了抑制Pt電極在高溫下失效的方法,研究結(jié)果為SAW器件乃至所有微型電子元器件在極端高溫條件下的應(yīng)用提供了一定的實驗基礎(chǔ)與理論依據(jù)。本論文的主要工作包含以下內(nèi)容:1.采用PLD技術(shù),在不同溫度條件下制備了Pt電極,系統(tǒng)地研究了Pt的沉積溫度對Pt在高溫下的導(dǎo)電穩(wěn)定性的影響。結(jié)果表明,Pt電極的失效是由于Pt的結(jié)塊所導(dǎo)致的,并且更高的沉積溫度會使得制備的Pt電極在高溫下具有更強(qiáng)的導(dǎo)電穩(wěn)定性。600℃條件下制備的Pt電極在從室溫升至100...
【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】：129 頁
【學(xué)位級別】：博士
【部分圖文】：
聲表面波器件結(jié)構(gòu)示意圖
圖 1-1 聲表面波器件結(jié)構(gòu)示意圖面波器件的重要組成部分，它起著將電也作為聲表面波傳播的媒介。其主要的性系數(shù)、傳播損耗、溫度系數(shù)等，而常用的壓電單晶材料。其中，壓電單晶材料具有到國內(nèi)外聲表面波器件研究者們的廣泛hite 和 Voltmer 發(fā)明了一種能夠高效激勵terdigitalTransducer，IDT）后，聲表面波年的發(fā)展，叉指換能器已經(jīng)成為了聲表面圖 1-2 所示。
圖 1-3 不同溫度下的 SAW 延遲線性能對比[3]經(jīng)介紹了聲表面波器件的主要結(jié)構(gòu)包括壓電材料高溫環(huán)境下的 SAW 器件性能衰減乃至失效也需要個方面來討論。而言，最核心的性質(zhì)就是它的壓電性能，壓電性能工作。一般的壓電材料都存在一個特有的相轉(zhuǎn)變溫這個相轉(zhuǎn)變溫度時，其壓電性能被破壞，導(dǎo)致所制SiO2）作為一種天然的壓電材料晶體，具有十分穩(wěn)（1750 ℃），早在二十世紀(jì) 20 年代就開始被用作但是它的居里溫度（Tc）較低，僅為 573 ℃，意體將失去它的壓電性能，從而使得聲表面波器材料最大的優(yōu)勢是它具有很高的溫度穩(wěn)定性，自aO3單晶生長技術(shù)后，LiTaO3壓電單晶材料也開始泛地研究。但是與石英晶體壓電材料一樣，LiTa
【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]碳系填充環(huán)氧樹脂復(fù)合材料導(dǎo)電性能研究進(jìn)展[J]. 張鵬飛,寇開昌. 工程塑料應(yīng)用. 2017(09)
[2]基于逾滲理論的非晶合金屈服行為研究[J]. 平志海,鐘鳴,龍志林. 物理學(xué)報. 2017(18)
[3]基于逾滲模型的泥頁巖導(dǎo)電機(jī)理模擬[J]. 趙軍,代新雲(yún),盧一凡,唐深華. 地球物理學(xué)報. 2017 (05)
[4]三叉晶界對晶粒長大影響的相場法模擬[J]. 羅志榮,盧成健,高英俊,易施光. 熱加工工藝. 2017(08)
[5]碳系導(dǎo)電填料混雜填充聚合物共混體系的導(dǎo)電逾滲模型[J]. 熊卓越,張博媛,汪唯佳,郭朝霞,于建. 高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報. 2015(08)
[6]含隨機(jī)裂紋網(wǎng)絡(luò)孔隙材料滲透率的逾滲模型研究[J]. 李樂,李克非. 物理學(xué)報. 2015(13)
[7]基于YCOB的高溫聲表面波諧振器的研究[J]. 曾義紅,舒琳,鄧森洋,張萬里,彭斌. 壓電與聲光. 2015(01)
[8]氧化鋁材料力學(xué)性能的分子動力學(xué)模擬[J]. 李榮,魏慶華,王新忠,龍水軍. 工具技術(shù). 2014(06)
[9]燒結(jié)氣氛和溫度對In2O3和SnO2及其混合粉燒結(jié)行為的影響[J]. 李晏平,劉志宏,李玉虎,劉智勇,李啟厚. 中國有色金屬學(xué)報. 2014(01)
[10]石英微天平對β-環(huán)糊精衍生物分子的識別[J]. 關(guān)魯雄,劉立華. 傳感器技術(shù). 2001(06)
博士論文
[1]介電氧化物薄膜在GaN半導(dǎo)體上的外延生長與性能研究[D]. 羅文博.電子科技大學(xué) 2010
本文編號：2903254
【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】：129 頁
【學(xué)位級別】：博士
【部分圖文】：
聲表面波器件結(jié)構(gòu)示意圖
圖 1-1 聲表面波器件結(jié)構(gòu)示意圖面波器件的重要組成部分，它起著將電也作為聲表面波傳播的媒介。其主要的性系數(shù)、傳播損耗、溫度系數(shù)等，而常用的壓電單晶材料。其中，壓電單晶材料具有到國內(nèi)外聲表面波器件研究者們的廣泛hite 和 Voltmer 發(fā)明了一種能夠高效激勵terdigitalTransducer，IDT）后，聲表面波年的發(fā)展，叉指換能器已經(jīng)成為了聲表面圖 1-2 所示。
圖 1-3 不同溫度下的 SAW 延遲線性能對比[3]經(jīng)介紹了聲表面波器件的主要結(jié)構(gòu)包括壓電材料高溫環(huán)境下的 SAW 器件性能衰減乃至失效也需要個方面來討論。而言，最核心的性質(zhì)就是它的壓電性能，壓電性能工作。一般的壓電材料都存在一個特有的相轉(zhuǎn)變溫這個相轉(zhuǎn)變溫度時，其壓電性能被破壞，導(dǎo)致所制SiO2）作為一種天然的壓電材料晶體，具有十分穩(wěn)（1750 ℃），早在二十世紀(jì) 20 年代就開始被用作但是它的居里溫度（Tc）較低，僅為 573 ℃，意體將失去它的壓電性能，從而使得聲表面波器材料最大的優(yōu)勢是它具有很高的溫度穩(wěn)定性，自aO3單晶生長技術(shù)后，LiTaO3壓電單晶材料也開始泛地研究。但是與石英晶體壓電材料一樣，LiTa
【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]碳系填充環(huán)氧樹脂復(fù)合材料導(dǎo)電性能研究進(jìn)展[J]. 張鵬飛,寇開昌. 工程塑料應(yīng)用. 2017(09)
[2]基于逾滲理論的非晶合金屈服行為研究[J]. 平志海,鐘鳴,龍志林. 物理學(xué)報. 2017(18)
[3]基于逾滲模型的泥頁巖導(dǎo)電機(jī)理模擬[J]. 趙軍,代新雲(yún),盧一凡,唐深華. 地球物理學(xué)報. 2017 (05)
[4]三叉晶界對晶粒長大影響的相場法模擬[J]. 羅志榮,盧成健,高英俊,易施光. 熱加工工藝. 2017(08)
[5]碳系導(dǎo)電填料混雜填充聚合物共混體系的導(dǎo)電逾滲模型[J]. 熊卓越,張博媛,汪唯佳,郭朝霞,于建. 高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報. 2015(08)
[6]含隨機(jī)裂紋網(wǎng)絡(luò)孔隙材料滲透率的逾滲模型研究[J]. 李樂,李克非. 物理學(xué)報. 2015(13)
[7]基于YCOB的高溫聲表面波諧振器的研究[J]. 曾義紅,舒琳,鄧森洋,張萬里,彭斌. 壓電與聲光. 2015(01)
[8]氧化鋁材料力學(xué)性能的分子動力學(xué)模擬[J]. 李榮,魏慶華,王新忠,龍水軍. 工具技術(shù). 2014(06)
[9]燒結(jié)氣氛和溫度對In2O3和SnO2及其混合粉燒結(jié)行為的影響[J]. 李晏平,劉志宏,李玉虎,劉智勇,李啟厚. 中國有色金屬學(xué)報. 2014(01)
[10]石英微天平對β-環(huán)糊精衍生物分子的識別[J]. 關(guān)魯雄,劉立華. 傳感器技術(shù). 2001(06)
博士論文
[1]介電氧化物薄膜在GaN半導(dǎo)體上的外延生長與性能研究[D]. 羅文博.電子科技大學(xué) 2010
本文編號：2903254
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