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高性能半導(dǎo)體氣體傳感器的設(shè)計(jì)策略及p-n核殼納米纖維傳感特性的研究

發(fā)布時(shí)間:2020-06-22 01:54
【摘要】:金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器是一種全固態(tài)電阻式氣體傳感器,目前在工業(yè)生產(chǎn)和日常生活中有著廣泛的應(yīng)用。隨著物聯(lián)網(wǎng)的不斷發(fā)展,對(duì)靈敏度高、響應(yīng)恢復(fù)速度快、穩(wěn)定性好的氣體傳感器的需求越來越大。目前,為了提高金屬氧化物氣體傳感器的氣體傳感性能,開發(fā)高性能的氣體傳感材料成為了研究的重點(diǎn)。本論文以高性能金屬氧化物氣體傳感材料作為研究對(duì)象,從理論總結(jié)和實(shí)驗(yàn)探究兩個(gè)方面,針對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感材料的敏感機(jī)理和性能提升策略進(jìn)行研究。主要工作內(nèi)容如下:(1)通過查閱大量的文獻(xiàn),針對(duì)暴露高能晶面的金屬氧化物納米材料在氣體傳感方面應(yīng)用的研究進(jìn)行系統(tǒng)的分析和總結(jié),針對(duì)常用的幾種氧化物導(dǎo)體氣體傳感材料的高能晶面,計(jì)算了原子面密度和懸掛鍵密度,討論了材料表面晶面種類和氣體傳感特性的關(guān)系。研究發(fā)現(xiàn),在材料表面選擇性地暴露高能晶面,可以有效地提高金屬氧化物半導(dǎo)體材料的氣體傳感性能。可以得出以下結(jié)論:纖鋅礦ZnO中的(0001)晶面、金紅石型SnO2中的(332)晶面、銳鈦礦型TiO2中的(001)晶面、赤鐵礦型Fe2O3中的(113)晶面和立方晶系Cu20中的(110)晶面是金屬陽離子截止面且懸掛鍵密度大;而綠鎳礦型NiO中的(110)晶面雖然同時(shí)含有金屬陽離子和氧負(fù)離子,但其表面懸掛鍵密度較大。在材料表面暴露這些晶面可以為氣體傳感反應(yīng)時(shí)氣體吸附提供充足的活性位點(diǎn)。因此,在材料制備過程中選擇性的暴露金屬陽離子截止的、懸掛鍵密度大的晶面將會(huì)大大改善材料的氣體傳感特性,提高材料的響應(yīng)。(2)采用共軸靜電紡絲法制備具有核殼結(jié)構(gòu)的一維金屬氧化物納米纖維,其中核層材料和殼層材料分別選擇n型和p型半導(dǎo)體材料。本論文中構(gòu)筑的材料體系分別是Co304-ZnO核殼納米纖維和Cr203-SnO2核殼納米纖維,系統(tǒng)地研究了 p-n異質(zhì)結(jié)對(duì)核殼納米纖維氣體傳感特性的影響。研究發(fā)現(xiàn):與ZnO-Co3O4核殼納米纖維、單軸ZnO納米纖維和Co3O4納米纖維相比,Co3O4-ZnO核殼納米纖維具有更優(yōu)越的氣體傳感性能,并且顯示出典型的p型氣體傳感材料的特性。分析認(rèn)為由于核層材料和殼層材料在界面處形成導(dǎo)帶不連續(xù)跨立型p-n異質(zhì)結(jié)導(dǎo)致的。由于異質(zhì)結(jié)特殊的能帶結(jié)構(gòu),使得材料與氣體的反應(yīng)不單單是由纖維的外殼材料決定的,而是核層、殼層和異質(zhì)結(jié)的協(xié)同作用。而對(duì)于SnO2和Cr2O3材料體系,SnO2-Cr2O3核殼納米纖維對(duì)目標(biāo)氣體具有更高的響應(yīng)。此外,Cr2O3-SnO2核殼納米纖維中的異質(zhì)結(jié)為能帶連續(xù)跨立型p-n異質(zhì)結(jié),材料的氣體傳感特性主要是由粒子的晶界勢(shì)壘的變化來決定,SnO2-Cr2O3核殼納米纖維的氣體傳感特性是由外殼材料Cr2O3所決定的,呈現(xiàn)出了 p型的氣體傳感特性。此外,由于異質(zhì)結(jié)的形成,使得材料中存在更多的晶格失配,會(huì)在核殼界面處形成更多的缺陷和懸掛鍵,有效地改善了材料的氣體傳感性能。本論文通過以上兩方面的工作,不但為金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感材料的優(yōu)化提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ),也為高性能氣敏材料的設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)和參考。
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TP212
【圖文】:

氧化物半導(dǎo)體,耗盡層,電子


當(dāng)工作溫度<邋150°C、150°C和400DC之間以及>邋400°C時(shí),表面吸附的氧逡逑負(fù)離子分別為02_、0_和02_n3]。氧氣的吸附會(huì)導(dǎo)致材料表面附近出現(xiàn)高阻態(tài)電逡逑子耗盡層(EDL)(圖1.2a)。對(duì)于p型半導(dǎo)體,氧負(fù)離子的形成會(huì)導(dǎo)致在材料表逡逑面形成低阻態(tài)空穴積累層(HAL)(圖1.2b)邋由于n型和p型金屬氧化物半導(dǎo)逡逑體中的多數(shù)載流子分別是電子和空穴,它們會(huì)顯示出不同的氣體傳感特性,如逡逑表1所示。以n型半導(dǎo)體ZnO為例。在空氣中,ZnO中的電子被氧氣分子捕獲,逡逑形成EDL,使材料的電阻增加。在這種情況下,如果引入一種還原氣體,氧負(fù)逡逑離子會(huì)與氣體發(fā)生反應(yīng),捕獲的電子會(huì)釋放回材料中,導(dǎo)致材料電阻的降低。逡逑當(dāng)接觸氧化性氣體時(shí),材料將進(jìn)一步被氧化。因此,EDL的厚度以及材料的電逡逑阻都會(huì)增加。p型半導(dǎo)體如表1所示,表現(xiàn)出與n型半導(dǎo)體相反的特性。逡逑(a)邐n-type邋oxide邐\逡逑semiconductors邋)邐)邐、一^邋Semicon_邋co『e逡逑vV邋^Fe*邋^邐f邋1邋(tow邋resistance)逡逑Electron邋depletion邋layer逡逑^邐(high邋resistance)逡逑(

動(dòng)力學(xué)因素,晶面,熱力學(xué),晶體


體傳感性能,因此在材料表面暴露更多高能晶面有重要意義。在實(shí)驗(yàn)過程中,逡逑通過調(diào)整熱力學(xué)或動(dòng)力學(xué)因素,可以成功制備表面暴露出高能晶面的晶體材料逡逑(圖1.3)邋從熱力學(xué)的角度來看,采用機(jī)表面活性劑、聚合物、小分子或離逡逑子在生長過程中選擇性地覆蓋或吸附在特定晶面上,使其表面能降低,迫使晶逡逑面暴露[36°81。動(dòng)力學(xué)控制是調(diào)整微晶、納米晶形狀和表面結(jié)構(gòu)的另一種有效方逡逑法。實(shí)際上,晶體生長的條件常常與平衡條件有很大的不同,在非平衡條件下,逡逑晶體的形狀不是唯一的,晶體成核和生長過程中晶體的生長速率等動(dòng)力學(xué)參數(shù)逡逑對(duì)晶體形狀的影響很大。與調(diào)控?zé)崃W(xué)因素相比,控制動(dòng)力學(xué)因素更加的復(fù)雜逡逑5逡逑

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本文編號(hào):2725001


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