高性能半導(dǎo)體氣體傳感器的設(shè)計(jì)策略及p-n核殼納米纖維傳感特性的研究
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TP212
【圖文】:
當(dāng)工作溫度<邋150°C、150°C和400DC之間以及>邋400°C時(shí),表面吸附的氧逡逑負(fù)離子分別為02_、0_和02_n3]。氧氣的吸附會(huì)導(dǎo)致材料表面附近出現(xiàn)高阻態(tài)電逡逑子耗盡層(EDL)(圖1.2a)。對(duì)于p型半導(dǎo)體,氧負(fù)離子的形成會(huì)導(dǎo)致在材料表逡逑面形成低阻態(tài)空穴積累層(HAL)(圖1.2b)邋由于n型和p型金屬氧化物半導(dǎo)逡逑體中的多數(shù)載流子分別是電子和空穴,它們會(huì)顯示出不同的氣體傳感特性,如逡逑表1所示。以n型半導(dǎo)體ZnO為例。在空氣中,ZnO中的電子被氧氣分子捕獲,逡逑形成EDL,使材料的電阻增加。在這種情況下,如果引入一種還原氣體,氧負(fù)逡逑離子會(huì)與氣體發(fā)生反應(yīng),捕獲的電子會(huì)釋放回材料中,導(dǎo)致材料電阻的降低。逡逑當(dāng)接觸氧化性氣體時(shí),材料將進(jìn)一步被氧化。因此,EDL的厚度以及材料的電逡逑阻都會(huì)增加。p型半導(dǎo)體如表1所示,表現(xiàn)出與n型半導(dǎo)體相反的特性。逡逑(a)邐n-type邋oxide邐\逡逑semiconductors邋)邐)邐、一^邋Semicon_邋co『e逡逑vV邋^Fe*邋^邐f邋1邋(tow邋resistance)逡逑Electron邋depletion邋layer逡逑^邐(high邋resistance)逡逑(
體傳感性能,因此在材料表面暴露更多高能晶面有重要意義。在實(shí)驗(yàn)過程中,逡逑通過調(diào)整熱力學(xué)或動(dòng)力學(xué)因素,可以成功制備表面暴露出高能晶面的晶體材料逡逑(圖1.3)邋從熱力學(xué)的角度來看,采用機(jī)表面活性劑、聚合物、小分子或離逡逑子在生長過程中選擇性地覆蓋或吸附在特定晶面上,使其表面能降低,迫使晶逡逑面暴露[36°81。動(dòng)力學(xué)控制是調(diào)整微晶、納米晶形狀和表面結(jié)構(gòu)的另一種有效方逡逑法。實(shí)際上,晶體生長的條件常常與平衡條件有很大的不同,在非平衡條件下,逡逑晶體的形狀不是唯一的,晶體成核和生長過程中晶體的生長速率等動(dòng)力學(xué)參數(shù)逡逑對(duì)晶體形狀的影響很大。與調(diào)控?zé)崃W(xué)因素相比,控制動(dòng)力學(xué)因素更加的復(fù)雜逡逑5逡逑
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本文編號(hào):2725001
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