本文提出了一種求解一維非穩(wěn)態(tài)半導體漂移擴散模型的弱Galerkin有限元法.該模型是一個描述靜電勢分布的泊松方程和一個刻畫電子守恒性的非線性對流擴散方程的耦合系統(tǒng).該格式在單元內(nèi)部用分片k（k≥0）次多項式來逼近靜電勢Ψ和電子濃度n,用分片k+1次多項式來逼近靜電勢Ψ和電子濃度n的導數(shù).本文得到了半離散問題的最優(yōu)誤差估計.數(shù)值實驗驗證了理論結果. 

【文章來源】：四川大學學報(自然科學版). 2020,57(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：10 頁

【文章目錄】：
1 引 言
2 預備知識
    2.1 基本記號
    2.2 弱問題
    2.3 離散弱導數(shù)
3 半離散弱Galerkin有限元格式
4 誤差估計
5 數(shù)值算例
6 結 論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]Analysis of the local discontinuous Galerkin method for the drift-diffusion model of semiconductor devices[J]. LIU YunXian,SHU Chi-Wang.  Science China（Mathematics）. 2016(01)



本文編號：2996812