本文關(guān)鍵詞：一種-100dB電源抑制比的非帶隙基準(zhǔn)電壓源

  更多相關(guān)文章： CMOS基準(zhǔn)電路 非帶隙基準(zhǔn)電路 預(yù)調(diào)制電路 超級(jí)源極跟隨器 電源抑制比

【摘要】：該文提出一種非帶隙基準(zhǔn)電路,通過(guò)一個(gè)帶超級(jí)源極跟隨器的預(yù)調(diào)制電路提供一個(gè)穩(wěn)定的電壓,為基準(zhǔn)核心電路供電。超級(jí)源極跟隨器通過(guò)降低基準(zhǔn)核心電路電源端的對(duì)地阻抗,有效提高了基準(zhǔn)電路的電源抑制能力。該基準(zhǔn)電路采用0.35μm CMOS工藝設(shè)計(jì)并流片,測(cè)試結(jié)果表明,該電路的工作電源電壓為1.8~5 V,靜態(tài)電流約為13μA。低頻處電源抑制比(PSRR)約等于-100 d B,在小于1 k Hz頻率范圍內(nèi)PSRR均優(yōu)于-93 d B。并且其片上面積僅為0.013 mm2。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： CMOS基準(zhǔn)電路 非帶隙基準(zhǔn)電路 預(yù)調(diào)制電路 超級(jí)源極跟隨器 電源抑制比
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61474120) 國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2014CB744600)~~
【分類號(hào)】：TN86
【正文快照】： (中國(guó)科學(xué)院大學(xué)北京100049)1引言近年來(lái),智能手機(jī)、掌上電腦、便攜式影音設(shè)備以及醫(yī)療設(shè)備等消費(fèi)類電子呈現(xiàn)不斷增長(zhǎng)的趨勢(shì)。在為這些設(shè)備供電時(shí),不論是開(kāi)關(guān)電源還是線性電源,都必須經(jīng)過(guò)電源管理模塊輸出穩(wěn)定的供電電壓,才能保證設(shè)備的功能和性能達(dá)到預(yù)期指標(biāo)�；鶞�(zhǔn)電壓源是

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本文編號(hào)：976915