本文關(guān)鍵詞：高速網(wǎng)絡(luò)上的實(shí)時(shí)文本檢索和過(guò)濾系統(tǒng)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《西安電子科技大學(xué)》 2009年

嵌入式SRAM/SSRAM/FLASH控制器的設(shè)計(jì)及關(guān)鍵面積算法研究

張國(guó)霞  

【摘要】： 本文首先對(duì)存儲(chǔ)器發(fā)展過(guò)程中出現(xiàn)的數(shù)種不同結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器控制器技術(shù)進(jìn)行總結(jié),分析它們之間的異同點(diǎn)。以這些研究為基礎(chǔ),根據(jù)課題來(lái)源32位高性能網(wǎng)絡(luò)處理器的需要,設(shè)計(jì)了一種存儲(chǔ)器控制器體系結(jié)構(gòu),最大的特點(diǎn)是采用了地址、數(shù)據(jù)和控制信息的單獨(dú)物理通路的體系結(jié)構(gòu),提高帶寬利用率。該存儲(chǔ)器控制器可外接ROM存儲(chǔ)器、SRAM存儲(chǔ)器、FLASH存儲(chǔ)器,通過(guò)寄存器編程來(lái)適應(yīng)不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器,能夠較好的利用不同類(lèi)型存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)帶寬。本文采用verilog硬件描述語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)了該存儲(chǔ)器控制器部分模塊單元功能的代碼級(jí)描述,包括Push-Pop和隊(duì)列優(yōu)先級(jí)需要的存儲(chǔ)單元,對(duì)其進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。從仿真結(jié)果上看,基本達(dá)到設(shè)計(jì)要求,實(shí)現(xiàn)了基本的讀寫(xiě)功能;對(duì)于CAM設(shè)計(jì),給出了CAM的存儲(chǔ)單元、數(shù)據(jù)比較和輸入的電路結(jié)構(gòu)圖。 本文另外一部分工作,是圍繞集成電路關(guān)鍵面積提取算法開(kāi)展研究。分析了主流關(guān)鍵面積研究方法中的Monte Carlo方法、多邊形算子方法、Voronoi圖等,指出了傳統(tǒng)關(guān)鍵面積提取方法的不足,并提出了一種改進(jìn)的、較為精確的關(guān)鍵面積提取方法。相關(guān)計(jì)算分析表明:本文改進(jìn)方法與原方法相比,數(shù)值變化趨勢(shì)符合物理規(guī)律,而且要更為精確。由本文典型計(jì)算案例分析:當(dāng)缺陷半徑等于間距大小時(shí),對(duì)于簡(jiǎn)單的長(zhǎng)而窄的線(xiàn)條,改進(jìn)后的模型比原模型精確度提高約為2.9%;簡(jiǎn)單的短而寬線(xiàn)條結(jié)構(gòu),改進(jìn)后模型精確度相對(duì)比較高,達(dá)到3.9%左右;對(duì)復(fù)雜版圖而言,改進(jìn)后模型精確度更為突出。就某些典型結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō),精度提升可達(dá)10.4%。所開(kāi)展的研究對(duì)集成電路可制造性設(shè)計(jì)(DFM)有著較為重要的意義。

【關(guān)鍵詞】：
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2009
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【目錄】：

摘要5-6

Abstract6-9

第一章 緒論9-19

1.1 課題背景9-10

1.2 嵌入式存儲(chǔ)器10-16

1.2.1 同步SRAM 存儲(chǔ)器10-12

1.2.2 異步SRAM 存儲(chǔ)器12-13

1.2.3 FLASH 存儲(chǔ)器13-14

1.2.4 DRAM 存儲(chǔ)器14-16

1.3 課題簡(jiǎn)介16-17

1.4 本文主要研究?jī)?nèi)容17-18

1.5 論文的章節(jié)安排18-19

第二章 通用存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)分析19-25

2.1 AMBA 總線(xiàn)協(xié)議19-20

2.2 通用存儲(chǔ)器控制器發(fā)展現(xiàn)狀20-21

2.2.1 Synopsys Design Ware 存儲(chǔ)器控制器20-21

2.2.2 ARM PrimeCell 存儲(chǔ)器控制器21

2.2.3 Rudi 通用存儲(chǔ)器控制器21

2.3 典型通用存儲(chǔ)器控制器體系結(jié)構(gòu)21-23

2.3.1 Rudi 通用存儲(chǔ)器控制器的體系結(jié)構(gòu)22

2.3.2 PrimeCell 通用存儲(chǔ)器控制器的體系結(jié)構(gòu)22-23

2.4 本章小結(jié)23-25

第三章SRAM/SSRAM/FLASH 控制器結(jié)構(gòu)與接口設(shè)計(jì)25-39

3.1 控制器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)25-33

3.1.1 Push-Pop 寄存器26-29

3.1.2 CAM 鎖存29-31

3.1.3 比特位的檢查、置位與清除31-32

3.1.4 SRAM Journaling32-33

3.2 控制器接口說(shuō)明33-37

3.2.1 SRAM 地址映射33-34

3.2.2 微引擎數(shù)據(jù)處理34-35

3.2.3 Strong ARM 數(shù)據(jù)處理35-36

3.2.4 SRAM Burst Count36

3.2.5 SRAM 訪(fǎng)問(wèn)命令執(zhí)行的優(yōu)先級(jí)36-37

3.2.6 讀-修改-寫(xiě)功能37

3.3 本章小結(jié)37-39

第四章SRAM/SSRAM/FLASH 控制器關(guān)鍵技術(shù)研究與實(shí)現(xiàn)39-49

4.1 控制器的外部設(shè)備連接39-43

4.1.1 同步SRAM 地址空間40-42

4.1.2 BootROM 地址空間42-43

4.1.3 SlowPort 地址空間43

4.2 控制器功能驗(yàn)證43-47

4.2.1 內(nèi)部存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)43-45

4.2.2 優(yōu)先級(jí)隊(duì)列45-46

4.2.3 CAM 設(shè)計(jì)46-47

4.3 本章小結(jié)47-49

第五章 精確關(guān)鍵面積提取算法研究49-59

5.1 關(guān)鍵面積概述49-51

5.1.1 關(guān)鍵面積計(jì)算50

5.1.2 關(guān)鍵面積分類(lèi)50-51

5.2 當(dāng)前的主流關(guān)鍵面積提取技術(shù)和發(fā)展51-54

5.2.1 Monte Carlo 方法51-52

5.2.2 多邊形算子方法52-53

5.2.3 Voronoi 圖方法53-54

5.2.4 關(guān)鍵面積提取方法小結(jié)54

5.3 精確關(guān)鍵面積算法改進(jìn)54-58

5.3.1 現(xiàn)有的關(guān)鍵面積提取模型54-55

5.3.2 改進(jìn)的關(guān)鍵面積提取模型55-56

5.3.3 計(jì)算與對(duì)比結(jié)果分析56-58

5.4 本章小結(jié)58-59

第六章 結(jié)束語(yǔ)59-61

6.1 總結(jié)59-60

6.2 下一步工作方向60-61

致謝61-63

參考文獻(xiàn)63-67

研究成果67-68

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本文編號(hào)：79066